SDIO:  （Secure Digital Input and Output Card） 安全数字输入输出卡SDIO在SD标准上定义了一种外设接口。目前，SDIO有两类主要应用——可移动和不可移动。目前的可移动设备作为Palm和Windows Mobile的扩展设备，用来增加蓝牙、照相机、GPS和802.11b功能。不可移动设备遵循相同的电气标准，但不要求符合物理标准。某些手机内包含通过SDIO连接CPU的802.11芯片。此举将“珍贵”的I/ O管脚资源用于更重要的功能。
I/O: 输出/输入(Input/Output),分为IO设备和IO接口两个部分。
LVDS: Low-Voltage Differential Signaling 低压差分信号
1994年由美国国家半导体公司提出的一种信号传输模式，它是一种标准
它在提供高数据传输率的同时会有很低的功耗，另外它还有许多其他的优势： 1、低电压电源的兼容性
  2、低噪声
  3、高噪声抑制能力
  4、可靠的信号传输
  5、能够集成到系统级IC内
使用LVDS技术的的产品数据速率可以从几百Mbps到2Gbps。
它是电流驱动的，通过在接收端放置一个负载而得到电压，当电流正向流动，接收端输出为1，反之为0
他的摆幅为250mv-450mv
TTL与LVDS
以前的屏一般使用TTL接口，信号需要5V电压驱动，功率大而且抗干扰不强
后来的屏多数为LVDS低压驱动信号，功率小抗干扰强
跟接什么设备没关系，只是视频板与屏之间的通信方式
UART:Universal Asynchronous Receiver/Transmitter，通用异步接收/发送装置，UART是
一个并行输入成为串行输出的芯片，通常集成在主板上，多数是16550AFN芯片。
UART是一种通用串行数据总线，用于异步通信。该总线双向通信，可以实现全双工传输和接收。在嵌入式设计中，UART用来与PC进行通信，包括与监控调试器和其它器件，如EEPROM通信。
GPIO：General Purpose Input Output
GPIO (通用输入/输出)或总线扩展器利用工业标准I2C、SMBus™或SPI™接口简化了I/O口的扩展。当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口，或当系统需要采用远端串行通信或控制时，GPIO产品能够提供额外的控制和监视功能。
PWM：脉冲宽度调制(PWM)，是英文“Pulse Width Modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。
脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管栅极或基极的偏置，来实现开关稳压电源输出晶 体管或晶体管导通时间的改变，这种方式能使电源的输出
电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。
CCFL：冷阴极萤光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp)，简称CCFL。
英文缩写: CCIR (Consultative Committee of International Radio)
中文译名: 国际无线电咨询委员会
SECAM制式，又称塞康制，SECAM是法文Sequentiel Couleur A Memoire缩写，意为“按顺序传送彩与存储”，是一个首先用在法国模拟彩电视系统，系统化一个8MHz宽的调制信号。1966年由法国研制成功，属于同时顺序制，有三种形式的SECAM：法国SECAM(SECAM-L)，用在法国和它的以前的体上；SECAM-B/G，用在中东，先前的东德和希腊；SECAM D/K用在俄罗斯和西欧。
register的名词CVBS：中文解释：复合视频广播信号 或 复合视频消隐和同步
全称：Composite Video Broadcast Signal 或Composite Video Blanking and Sync
它是一个模拟电视节目（图片）信号在与声音信号结合，并调制到射频载波之前的一种格式。 CVBS是"Color, Video, Blank and Sync", "Composite Video Baseband Signal", "Composite Video Burst Signal", or "Composite Video with Burst and Sync".的缩写
CVBS 是被广泛使用的标准，也叫做基带视频或RCA视频，是“(美国)国家电视标准委员会（NTSC）电视信号的传统图像数据传输方法，它以模拟波形来传输数据。复合视频包含差（调和饱和度）和亮度（光亮）信息，并将它们同步在消隐脉冲中，用同一信号传输。
TCON（Timer Control Register）定时器/计数器控制寄存器
  TCON在特殊功能寄存器中，字节地址为88H，位地址(由低位到高位)为88H一8FH，由于有位地址，十分便于进行位操作。
  TCON的作用是控制定时器的启、停，标志定时器溢出和中断情况。
  TCON的格式如下图所示。其中，TFl，TRl，TF0和TR0位用于定时器／计数器；IEl，ITl，IE0和IT0位用于中断系统。
DAC: 相关简述　电脑对声音这种信号不能直接处理，先把它转化成电脑能识别的数字信号，就要用到声卡中的DAC（数字/模拟转换），它把声音信号转换成数字信号，要分两步进行，采样和转换。
即数／模转装换器，一种将数字信号转换成模拟信号的装置。 DAC的位数越高，信号失真就越小。声音也更清晰稳定。 DAC格式具有以下特点：支持AC-3、DTS同一级别的高质量音频压缩算法；支持频率从22K-1M；支持通道数从1-32通道，包括5.1和7.1；支持16位到32位；每通道独立编码，无干扰、串扰问题；每通道位率为75、100、120、150Kbps等等。
CSTN: color super-twist nematic：彩STN移动装置用彩显示屏. STN LCD的彩化，就是我们所说的CSTN（Color STN）。它其实就是一个FSTN屏加上一层彩膜。用RGB三个像素点来组成一个显示像素点。CSTN的基本显示原理和STN完全一样，因此它也继承了STN LCD所有的优缺点，响应速度慢是它的致命伤。
TFT属于有源矩阵液晶显示器。
  补充：TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的LCD彩显示设备之一，其效果接近CRT显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高了，同时分辨率也达到了很高水平。TFT ( Thin film Transistor，薄膜晶体管）屏幕，它也是目前中高端彩屏手机中普遍采用的屏幕，分65536 及26 万，1600万三种，其显示效果非常出。TFT俗称“真彩”。
OTG: 就是On The Go，正在进行中的意思。大家都知道自从1996年USB传输协议的诞生，并以其优势很快的风靡了所有计算机外设以及数码设备，大家都知道USB设备分为HOST（主设备）和SLAVE（从设备），只有当一台HOST于一台SLAVE连接时才能实现数据的传输，OTG设备就是是我们的“EX”既能充当HOST，亦能充当SLAVE。
NOR和NAND区别：
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR fl
ash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
  相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
  NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
  NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
  NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
  性能比较
  flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
  由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
  ● NOR的读速度比NAND稍快一些。
  ● NAND的写入速度比NOR快很多。
  ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
  ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
  ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
  接口差别
  NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
  NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

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