测试部分
1.1光电导测量仪
名称:WCT光电导测量工具
仪器包含部分:个人计算机、少子寿命测试台、电池组Qpaq-X的电源
碘酒钝化
  原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按RCA2(纯水H2OH2O2HCl=511,沸腾后保持6分钟,纯水冲洗10分钟)-RCA1(纯水H2OH2O2NH4OH=511,沸腾后保持6分钟,纯水冲洗6分钟)-RCA2(纯水H2OH2O2HCl=511,沸腾后保持6分钟,纯水冲洗6分钟)清洗;
在通风橱中用纯水H2OHF=101的溶液浸泡清洗好的硅片1分钟,纯水冲洗10分钟;
用氮吹干硅片;
将吹干的硅片放入大小合适的塑料封口袋中,滴入适量的碘酒(0.08mol/l),使硅片上下表面均匀布满碘酒,封好塑料封口袋,不要使碘酒溢出;
将塑料封口袋和硅片一起置于少子寿命测试台上,进行测量;
测量结束后,在通风橱中用纯水打开塑料封口袋冲洗硅片三次,取出硅片放入承片盒中再用纯水冲洗10分钟,用氮吹干硅片。
少子寿命测量方法
对测试滤片进行选择为1号滤光片和厚的滤光片.
先进行校准,取电阻率大于100F校准标准硅片放置于基台上,点开LifetimeExcl文件夹.
Cailration目录下进行校准,调整基台下面的旋钮,使蓝线与0.1标准线重合.
将碘酒钝化的硅片放置于测试台面上,点文件中的Measure wafer键,对图形中的蓝点进行中间修正后读值.
 
1.2非接触式少子寿命测量仪器(SEMILAB
  名称:WCT光电导测量工具
仪器包含部分:个人计算机、测试基台
将需要测试的不同硅片放置于测试台面上
  使用软件为UPCD,测试多为扩散后的硅片.
  点击ASET键,LT为测试显示值。
 
少子寿命数值规定如下:
          FZ片子大于100
          原始硅片  单晶 10um以上
                    多晶 5um以上(原则上要求要大于10um正常中需要算大于10um以上的所占比率)
          扩散后硅片 单晶 10um左右(原则上要大于10um
                    多晶  7um左右 (原则上要大于10um
影响少子寿命的内容
杂质类型即深能级杂质如金属杂质等等严重影响少子寿命
硅片表面态的状况,即高温处理前硅片的表面状况直接影响少子寿命
杂质浓度对少子寿命的影响,重掺杂状况下会引起晶格的畸变,复合加剧影响少子寿命
1.3 SUN-Voc检测方法
对电池片的选择要求,
Uoc
Isc
Rs
Rsh
FF
NCell
Lreve2 
0.604
7.688
2.22
98.60
78.23
0.1498
2.199
0.609
7.631
2.38
67.61
78.648
0.1497
4.667
串并联正常,漏电较大的电池片
J01,测试前后表面
J02,测试结区
使用厚的滤光片、1号滤光片和3号滤光片;
将机台的两根线接上机台(一根红的,一根蓝的),红线接红接口,蓝线接蓝接口.
将电池片的电流密度算出(电流除以电池片面积),输入测试软件中.
将待测电池片放在机台上,正面朝上,用测试笔点在主栅线上
点击Measure键,然后让软件自己校准
完成后,再点两次Rasmple
然后再点击IV Curve,对曲线进行拟合,
查看Jo1Jo2PFF0.1sun下的品质因子的数值.
2.1 膜厚折射率检测方法
名称:扫描椭圆偏振光测试仪
仪器包含部分:测试计算机、控制器、测试基台(三种)
对于基台1,长方形斜面台测试单晶 2,小圆盘 测试多晶 3,大圆盘 测试抛光片
首先激光对点,标记需要测试的部位,选择需要测试的膜对应的文件,
MeasureThn为所需要的数值(Thick膜厚与refractive index折射率)
测量方法
镀膜后电池片放置于测试台面上,单晶选择 小型圆行测试台面成斜面  多晶选择 圆形台面水平放置     
数值取值 单晶72—76nm        多晶  80—85nm                 
对于实际操作中,单晶范围一般在70—80nm多晶范围一般在80—90nm
3.1 反射率测试方法
名称:积分式反射仪
仪器包含部分:计算机、测试腔、测试台、标准片
操作方法:打开电源将按钮“Power”打到I电流位置,氙灯亮后,将电流调整至5A工作电流,光谱仪正常工作时指示灯为红.
软件使用:SR-D8CDI
触发氙灯。将按钮“Power”打开到“I”位置,以接通电源,氙灯被打开;
当氙灯被触发点亮后,转动旋钮,将电流表读数调节到5Asettingsun的位置,即氙灯的额定工作电流;
确认光谱仪与电脑正常连接后,接通光谱仪的电源,确认红指示灯亮起,并且风扇可以正常工作;
双击桌面上的“SR-D8CDI)”图标,进入主操作界面;
将载物台移动到最右端,使积分球的出光口对准底板上的消光片,单击“Device”中的“background”项,即进行背景光的测量;
将基准片放在托盘上,然后将载物台移动到左端,使积分球的出光口对准基准片,单击“Device”中的“Reference”项,开始对基准片进行测量;
选择“File”中的“Open Recipe”项,按照实际测量的需要,选择对应的Recipe
将待测片放在载物台上,使积分球的出光口对准需要测量的区域。单击“Measurement”按钮,开始测量;
注意:在测量的过程中,不要接触光纤、光谱仪、积分球等。以免数据失真;
在“Show List”的下拉菜单中,将会显示曲线名称和颜的关系,点击“Copy”可将数据复制到Excel等软件中,也可以将数据通过单击“Show List”的下拉菜单“Save”可将数据保存到指定文件夾;
注意:由于组件时没有统一的标准,所以在测量前需要对灯箱高度进行微调,测量时积分球与组件是以接触的方式,所以在移动载物台或者取片的时候,必须将灯箱升高,以免造成积分球的偏移或损伤。
校准
进行如下的动作将载物台移动到最右端,使积分球的出光口对准底板上的消光片,单击“Device”中的“background”项,即进行背景光的测量;
将基准片放在托盘上,然后将载物台移动到左端,使积分球的出光口对准基准片,单击“Device”中的“Reference”项,开始对基准片进行测量如前相同的步骤;
取下基准片,换上标准片,进行6.8步骤,得到一组反射率数据;
打开标准数据与测量值进行比较。测量数据的平均反射率与标准数据的平均反射率的偏差小于1%
软件参数的设定
Recipe参数的设定。在主操作界面中,依次点击File”、“Edit Recipe”、“Login”、“Recipe”;
Boundaries for Calculation”的设定不要超过光谱仪的硬件参数范围;
Alarm Setting”是指如果测量结果超出了设定的范围,在打印出的报告中会有“NG”提示标志;
“Save file after the measurement”被选定后,“Path”将生效,所设定的位置为测量结果的保存文件夹,“file name”为最后一次测量结果的文件名;
R(%)”是设定offset参数生效范围的,根据不同的使用测量范围,对recipe进行设定。对结果的补偿所对应的公式为Y=AX3+BX2+CX+D
在测试前必须与标准片进行在背光条件下的对比。
单晶反射率一般在13—15
多晶反射率一般在21---25
4.1电池扫描分析仪
名称:Corescan扫描分析仪
仪器包含部分:测试腔、测试探针、计算机
可以测试接触电阻分布;并联电阻分布;开路电压分布; 光生电流密度分布.
操作方法:
打开电源,将机身左侧后部的电源开关拨至“I”位置;
点击电脑桌面上的“Correscan”图标,输入密码,进入软件操作界面;
Scan type ,设置Scan type,需设置XY、对角线,对X1X2Y1Y2设置是表示需要扫描的区域.测试整个电池片X1X2Y1Y20
对测试项进行选择,其中包含四部分(Core san Shunt scan Voc scan:LBIC scan.

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