电阻模型参数
R      电阻倍率因子
TC1  线性温度系数
TC2  二次温度系数
电容模型参数
C        电容倍率因子
VC1    线性电压系数
VC2    二次电压系数
TC1  线性温度系数
TC2  二次温度系数
电感模型参数
L        电感倍率因子
IL1    线性电流系数
IL2    二次电流系数
TC1  线性温度系数
TC2  二次温度系数
二极管模型参数
IS      饱和电流
RS    寄生串联电阻
N      发射系数
TT    渡越时间
CJO  零偏压PN结电容
VJ    PN结自建电势
M      PN结剃度因子
EG    禁带宽度
XT1  IS的温度指数
FC    正偏耗尽层电容系数
BV    反向击穿电压（漆点电压）
IBV    反向击穿电流（漆点电流）
KF      闪烁躁声系数
AF      闪烁躁声指数
双极晶体管（三极管）
IS 传输饱和电流
EG 禁带宽度
XTI（PT） IS的温度效应指数
BF 正向电流放大系数
NF 正向电流发射系数
VAF（VA） 正向欧拉电压
IKF （IK） 正向漆点电流
ISE（C2） B-E漏饱和电流
NE  B-E漏饱和电流
BR 反向电流放大系数
NR 反向电流发射系数
VAR（VB） 正想欧拉电压
IKR  反向漆点电流
ISC C4  B-C 漏饱和电流
NC  B-C漏发射系数
RB  零偏压基极电阻
IRB  基极电阻降致RBM/2时的电流
RE  发射区串联电阻
RC  集电极电阻
CJE  零偏发射结PN结电容
VJE PE  发射结内建电势
MJE ME  集电结剃度因子
CJC    零偏衬底结PN结电容
VJC PC  集电结内建电势
MJC MC  集电结剃度因子
XCJC Cbe  接至内部Rb的内部
CJS CCS    零偏衬底结PN结电容
VJS PS  衬底结构PN结电容
MJS MS  衬底结剃度因子
FC  正偏势垒电容系数
TF  正向渡越时间
XTF  TF随偏置变化的系数
VTF  TF随VBC变化的电压参数
ITF  影响TF的大电流参数
PTF  在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移
TR  反向渡越时间
XTB  BF和BR的温度系数
KF  I/F躁声系数
AF I/F躁声指数
Is=14.34f   反向饱和电流。
Xti=3   饱和电流的温度指数
Eg=1.11    硅的带隙能量
Vaf=74.03  正向欧拉电压
Bf=255.9   正向电流放大系数
Ne=1.307   B--E极间的泄漏饱和发射系数
+  Ise=14.34f    B--E极间的泄漏饱和电流
Ikf=.2847  正向BETA大电流时的滑动拐点
Xtb=1.5  电流放大系数的温度系数
Br=6.092    理想反向电流放大系数
Nc=2    B--C间的泄漏发射系数
Isc=0   
Ikr=0   反向BETA（R）大电流时的滑动拐点
Rc=1   集电极电阻
+  Cjc=7.306p   B-E结零偏压时的耗尽电容。
Mjc=.3416    B-C结指数因子
Vjc=.75    B-C结内建电势
Fc=.5    正向偏压时的耗尽电容系数
Cje=22.01p   B-E结零偏压时的耗尽电容
Mje=.377   B——E结指数因子
Vje=.75    B-E结内建电势
+  Tr=46.91n   反向渡越时间
Tf=411.1p    正向渡越时间
Itf=.6   正向渡越时间随VBE变化的参数
Vtf=1.7   
Xtf=3 Rb=10)   正向渡越时间随偏置变化的参数
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率
Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压
Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流
Iceo 基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流
Iebo 集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流
Vce(sat) 基极与发射极间的正向饱和压降
Vbe(sat) 集电极与发射极间的反向饱和压降
hFE 共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）
Ft 特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）
Cob 共基极输出电容
Nf 嗓声系数
Fa 共基极截止频率
Hre 共发射极交流输入开路时的电压反馈系数
Gp 共基极时功率增益
Kp 共发射极时功率增益
Vf 正向降压
Vr 反向降压
Typ 典型值
Max 最大值
Min 最小值
If 正向电流
Ir 反向电流
Toff 关闭时间
共发极交流输入开路时的输示
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容
Cce---发射极接地输出电容
Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cn---中和电容（外电路参数）
Co---输出电容
multisim元件对照表
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe---共发射极输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE---共发射极静态电流放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ISB---二次击穿电流
IAGC---正向自动控制电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率
Ptot---总耗散功率
ESB---二次击穿能量
rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）

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