Change life with heart Array 工艺流程基础介绍
Array  PI ：李琳
目录
一、TFT LCD 结构
1.1 TFT LCD 结构
1.2 TFT 结构形成流程简介
二、Array 工艺流程介绍
2.1 1st ITO(公共电极）形成流程及工艺
关键
2.2  Gate（栅极）形成流程及工艺关键      2.3  SD（源、漏极）形成流程及工艺关
键
2.4  PVX（钝化层）形成流程及工艺关
键
2.5 2nd ITO（像素电极）形成流程及工
艺关键三、Array 主要工艺设备介绍
3.1 Thin Film 工艺原理、设备结构、主
要相关不良介绍
3.2 Photo工艺原理、设备结构、主要相
关不良介绍
3.3 Etch工艺原理、设备结构、主要相
关不良介绍
3.4 Test 介绍
四、Array 工艺流程扩展介绍
TFT基板
驱动
印刷线路板 ( P CB)
CF基板
上偏光片
下偏光片
液晶
背光源
TN 模式：此ITO 在CF侧
ADS 模式：此ITO 在Array 侧
显示模式B4量产型号
TN  18.5、23.6
ADS
23、27、23.6、32、array工艺详解
36.5、46、55
Glass
Pixel
Data
Passivation SiNx
n+ a-Si a-Si
Gate insulator （SiNx ）
Gate
Via hole
扫描信号
数据信号
像素电极
1.1 TFT 结构

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