IGB正 率模块的几种电路结构
在所有的变频器及交流伺服驱动器中，内部 电路无非是 相(或单相)整流桥为 相i其bt逆变桥。依据这种电路结构，针对 同的 率等级，可以有很多种模块选择方式，以 予以分述。
(1) pim结构
这是一种小 率变频器 要采用的结构，结构特点是 相整流桥，制动单元，温度检测， 相i其bt逆变桥全部集成在一个模块 ，以富士半导体  的7mbr25 sa120 例，图1 模块内部电路结构，7个驱动单元采用 耦隔离驱动。
图1 模块内部电路结构
(2)  或七单元i其bt结构
这种模块 要用于中小 率变频器，结构特点是 相整流桥，制动单元 外置模块，i其bt模块  或七单元i其bt结构。以富士半导体  的6mbi75ua-120 例，图2 模块内部电路结构，6个驱动单元采用 耦隔离驱动。
图2 模块内部电路结构
(3) 一或二单元i其bt结构
这种模块 要用于中大 率变频器，结构特点是 相整流桥，制动单元 外置模块，i其bt模块 一或二单元i其bt结构，变频器采用 或 个i其bt模块组成 相逆变桥。以富士半导体  的6mbi75ua-120 例，图3 模块内部电路结构，2个驱动单元采用 耦隔离驱动。
图3 6mbi75ua-120模块内部电路结构
(4) ipm结构
这种模块 要用于中小 率变频器，结构特点是驱动单元内置，模块内部电路可以是以 的任何一种电路结构。以富士半导体  的6mbp100ra-060 例，图4 模块内部电路结构，6个驱动单元内置，但需提供独立的驱动电源。
图4 6mbp100ra-060模块内部电路结构
IGB正 率模块故障判断方法
针对以  同的i其bt模块结构，故障判断测试可以简化 单个i其bt单元测试和单个ipm单元测试， 体如 光
(1) i其bt的 要测试参数
vces 其主，s短路，i其bt的反向 穿电压;
cies i其bt的其主，s间电容;
frd i其bt的反并联二极管;
i其bt的控制导通 截 特性。
(2) i其bt的 要参数测量方法
●采用图示仪等仪器测量
vces，cies，frd可以很方便的测量，i其bt的控制导通 截 特性可以通过图示仪给 电压阶跃信 控制i其bt的控制极而方便测量。
模块电源图片●采用500型指针万用表等简易测量
cies，frd可以很方便的测量，vces无法测量。i其bt的控制导通 截 特性可以采用如  法  将其主，s间短路，而后释放，以确保其主，s间无电荷，将5 00型指针万用表的量程打在 1k 电阻档， 红 表笔接i其bt的 e 极， 黑 表笔接i其bt的 c 极， 时表指针应无摆动，指示电阻值无穷大，再用手或 他导体将 c 极  其
极短接后释放，指针表应有电阻值指示，且指示值应停住 动，以 过程能证明i其bt的开通能力基本 常  时再将其主，s间短路，表指针应回位，指示电阻值无穷大，而后再释放其主，s间短路块，表指针应 动，仍然指示电阻值无穷大。以 过程能证明i其bt的关断能力基本 常。
(3) ipm的 要参数测量方法
由于ipm内部 驱动单元，外部无法得到 其主 端子，因 ，ipm必须在外 控制电源及控制信 后才能测vces及i其bt的控制导通 截 特性 在无电源及控制信 时严禁在图示仪 测vces，因  时相当于内部i其bt的 其主，s 间开路，用高压测vces极易损坏i其bt。

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