STM32L051 测试第 4 课，掉电数据保存的测试。
..修改文中以前的问题，增加后续问题说明（数据存储大小端模式）
..增加后续问题2.4.3（STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题）
..更新一下STM32L071 EEPROM读写全字问题最后解决说明
∙1、STM32L051内部存储模块地址范围
∙2、读写函数的设计
▪2.1 读取函数
▪2.2 EEPROM写函数
▪2.3 Flash写函数
▪2.4 读写EEPROM的后续问题
∙总结
本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。
1、STM32L051内部存储模块地址范围
开始到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash， 然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以到答案，先上个F103的图：然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。
最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下
其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE 的定义，就是128bytes ：
#define FLASH_SIZE (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
#define FLASH_PAGE_SIZE ((uint32_t)128U) /*!< FLASH Page Size in bytes */
对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：
Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option byt
es)
STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）
一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；
2、读写函数的设计
HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……
2.1 读取函数
//读取指定地址的半字(16位数据)
uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
{
return *(__IO uint16_t*)address;
}
//读取指定地址的全字(32位数据)
uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
{
return *(__IO uint32_t*)address;
}
简单测试一下：
u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
...
read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
stm32怎么使用printfprintf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);
没有写入数据读取的值应该都是0。
2.2 EEPROM写函数
对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题
需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！
答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区
EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
...
if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
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