1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3. Acid：酸
4. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号
放大）
5. Align mark(key)：对位标记
6. Alloy：合金
7. Aluminum：铝
8. Ammonia：氨水
9. Ammonium fluoride：NH4F
10. Ammonium hydroxide：NH4OH
11. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
12. Analog：模拟的
13. Angstrom：A（1E-10m）埃
14. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）
15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样
下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要
求一定时间后的失效率）
16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的
光刻）
17. Argon(Ar)氩
18. Arsenic(As)砷
19. Arsenic trioxide(As2O3)
20. Arsine(AsH3)
21. Asher：去胶机
22. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
23. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发
到环境中后，又回掺到外延层）
24. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
25. Baseline：标准流程
26. Benchmark：基准
27. Bipolar：双极
28. Boat：扩散用（石英）舟
29. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常
指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺
所有特性的一个方形区域。
31. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种
去掉圆片表面某种物质的方法。
32. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过
化学反应生成一层薄膜的工艺。
33. Chip：碎片或芯片。
34. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机
控制和监控制造工艺的一种综合方式。
35. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一
定功能的技术。
36. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特
殊要求的特定区域。
37. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质
或向N型掺入受主杂质。
38. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
39. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
40. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料
中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
41. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
42. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺
某种性质的曲线图表。
43. Correlation：相关性。
44. Cp：工艺能力，详见process capability。
45. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
46. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通
常用来衡量流通速度的快慢。
47. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后
形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
48. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
49. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗
尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
50. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主
的固定电荷密度的区域。
51. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽
度。reactor缩写
52. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层
次发生化学反应的薄膜的一种方法。
53. Depth of focus（DOF）：焦深。
54. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试
验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
55. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所
需图形的过程）
56. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
57. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及
芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
58. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封
装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
59. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅
中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
60. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
61. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次
中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。62. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载
流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
63. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致
电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
64. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬
底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
65. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的
时间。
66. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
67. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过
程。
68. fab：常指半导体生产的制造工厂。
69. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
70. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、
栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
71. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
72. flat：平边
73. flow velocity：流速计
74. flow volume：流量计
75. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
76. forbidden energy gap：禁带
77. four-point probe：四点探针台
78. functional area：功能区
79. gate oxide：栅氧
80. glass transition temperature：玻璃态转换温度
81. gowning：净化服
82. gray area：灰区
83. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
84. hard bake：后烘
85. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
86. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批
量生产
87. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗
粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
88. host：主机
89. hot carriers：热载流子
90. hydrophilic：亲水性
91. hydrophobic：疏水性
92. impurity：杂质
93. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
94. inert gas：惰性气体
95. initial oxide：一氧
96. insulator：绝缘
97. isolated line：隔离线
98. implant : 注入
99. impurity n : 掺杂
100. junction : 结
101. junction spiking n ：铝穿刺
102. kerf ：划片槽
103. landing pad n :PAD
104. lithography n 制版
105. maintainability, equipment : 设备产能
106. maintenance n ：保养
107. majority carrier n ：多数载流子
108. masks, device series of n : 一成套光刻版
109. material n ：原料
110. matrix n 1 ：矩阵

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