电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件
半导体器件
一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器
件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N 型锗材
料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、
B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、
C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低
频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管
（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、
Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复
合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的
符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上
述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电
极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注
册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、
C-NPN 型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、G-N 控制极可控硅、H-N 基极
单结晶体管、J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从
“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器
件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件
是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名
方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、
JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn 结器件、n-n 个
pn 结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）
注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记
的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：
JAN2N3251A 表示PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标
志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。
四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波
兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法
由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如
锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、
D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、
C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-
复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、
M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关
管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序
号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器
件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误
差范围，字母A、B、C、D、E 分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；
其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代
表小数点，字母V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值
，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中
数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP 锗高频小功率三极管。
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光
电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
vb编程基础知识单词第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。
一、 半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极
间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工
作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压
二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大
正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在
正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端
加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流
管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性
负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性
特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电
阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降
差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
二、双极型晶体管参数符号及其意义
Ccb---集电极与基极间电容
Cce---发射极接地输出电容
Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cn---中和电容（外电路参数）
Co---输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe---共发射极输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE 结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB 结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE 结击穿电压
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE 结击穿电压
D---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1 时的工作频率
hFE---共发射极静态电流放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB 反向电压条件下的集电极与基极之
间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与发射极
之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB 条件下，发射极与基极之
间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE 为规定值时，集电
极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与发射极
之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE 下，集电极
与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交
流电流的最大平均值
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ISB---二次击穿电流
IAGC---正向自动控制电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率
Ptot---总耗散功率
ESB---二次击穿能量
rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic 或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出
电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
VCB---集电极-基极（直流）电压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最
高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条
件下的最高耐压
Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB 条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压

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