专利名称：使用双数率同步动态RAM的紧凑包交换节点存储体系结构
专利类型：发明专利字符串常量占ram
发明人：C·巴热克，王勇智，张荣峰
申请号：CN200510058802.9
申请日：20050328
公开号：CN1677958A
公开日：
20051005
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了在交换环境中访问DDR SDRAM内存存储器的两芯片/单管芯交换体系结构和方法。两芯片/单管芯交换体系结构包括单管芯上的内部内存存储器模块，到双数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)的外部内存存储器接口，外部内存管理器，和在内部内存存储器和外部DDR SDRAM内存间实现包数据转移的包数据转移引擎。该方法涉及包数据转移规范，针对的问题是在使用DDRSDRAM中引起的随机内存访问延迟，使用预测性内存库交换来隐藏随机访问延迟，包长度依赖内存写突发串的可变长度以便使内存库交换最少，且在相应的读和写窗口期间执行内存读和写操作。其优点是采用更少量的双模式逻辑实现空间有效的双芯片/单管芯交换节点体系结构，且DDR SDRAM带宽利用率得到提高。
申请人：卓联半导体股份有限公司
地址：加拿大渥太华
国籍：CA
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：沙捷
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