微波软件使用经验
1、ADS2003怎样仿真微带电路
ADS2003怎样仿真微带电路ADS2003怎样仿真微带电路把微带加入2003系统后，进行仿真时，总是提示错误：
Error detectet by HPEESOFSIM during netlist parsing.            No Simulation Component specifie d. 微带的有的关参数见下：ＤＡ＿MLine_asd DA_MLine1 Subst="Msub1" F=1GHz Zo=50Ohm Lphys=20mil Lelec=30.25
1．很明显，你忘记了要放一个S-Parameter Simulation Controller (S_Param)。
2．你使用的是Passive Circuit DG - Lines里面的元件吧? 使用这里面的元件必须配合ADS里面Design Guide中的Passive Circuit才能使用. 你在选择该元件的时候就会有小窗口提示你的. Momentum仿真是集成在ADS里面的无源电路的2.5维电磁场仿真(在layout窗口有个Momentum菜单)，采用矩量法. 包括Momentum和 Momentum RF两种形式. Momentum采用全波分析, Momentum RF采用准静态场分析. 3．ematic窗口下的window下拉菜单---->layout------>Momentum下拉菜单.
2、请教hfss9中solutionfrequency如何设置
请教hfss9中solution frequency如何设置小弟在计算天线3～6G的return loss时，选择的算法是interpolation，设置sweep的频率范围为3～6G，但是不知道solution frequency应该设置为多少.在help文件中没有到相关的内容。
1关系到网格的划分，频率越高，网格划分越细，精度越高，求解时间也越慢。我通常选择在相应频率附近．
2．在8.0中，solution frequency一般选择你所求解问题的的关键频率点，像天线问题，可以设置其为天线的工作频率
3、问题求助
我现在用MWO仿真软件作一个CDMA功放，但选用的管子没有非线性模型，只能用厂商提供的S参数进行仿真，但一般来说厂商提供的都是小信号S参数，这样设计显然达不到预期的结果，因此我想问几个问题1：在该软件中，如果没有没有晶体管的非线性模型，那么我们怎么利用该软件来进行大功率放大器设计？（因为小信号S参数实际上是建立在线性模型的基础上测得的，那么用它来设计功放，更本就没考虑到大功率晶体管的非线性性能，在软件仿真中就不能对它的非线性性能进行预估，即只能进行匹配、驻波、增益、线性输出功率的仿真，而不能进行诸如：交调、谐波、1dB压缩仿真）2：能不能自己建立晶体管的非线性模型？如果能建立的话，又怎样建立？3：如果没有非线性模型，是不是该
软件就不能用来设计大功率放大器了？是不是只能通过试验测试的方法来设计大功率功放了？
1．不知你用的是什么管子，MOTO的ADS，MWOFFICE的模型都有的，用他们可以进行非线性仿真。我以前做功放时用ADS仿过MOTO的MRF系列管子，感觉是和实际相差比较远，尤其是互调等一些非线性的仿真结果，但还是有一些参考价值的，例如一些元件值的变化对匹配的影响趋势，或者是一个管子到底能做到多少互调值等。一般做功放时都是根据管子的阻抗参数用软件算算匹配拓扑结构，主要以实际调试为主！所以我觉得楼主你没有管子非线性模型并不会对你的设计产生多大影响。当然进行细致的仿真有助与你深入思考调试中遇到的问提，从而提高理论水平，巩固所得经验。
4、在hfss9里面怎么看方向图
在hfss9里面怎么看方向图在results里面怎么看方向图，看了半天帮助也没明白，望高人指点
1．set radiation boudary/PML -> solve -> create report -> far field -> radiation pattern
5、请教about:PMLinHFSS
请教about: PML in HFSS--在assign PML 的时候有一个选项一个是PML objects accept free radiation;  另一个是：PML objects continue guided wave.  有什么区别吗？1．适用于不同的结构，帮助文件里有详细说明
6、HFSS90TE，TM两种极化入射平面波如何加入？
[求助]HFSS90：TE，TM两种极化入射平面波如何加入？
1你可以直接加入平面波的呀。K矢量和，E矢量的方向你都可以自由设定的。不过等算完了，后处理的事情多一些，多半要用field caculater来处理。
7、如何在hfss仿真的结果里面看结构内部的场分布
如何在hfss仿真的结果里面看结构内部的场分布如何在hfss仿真的结果里面看结构内部的场分布，最简单的就拿波导的中间面来说吧．
1．post process--->fields---->plot--->………
2．在hfss9.0里面这是看表面的场结构的，fields--plot--e或者h。我的本意是结构内的，例如，波导中间有一介质块，在介质块表面的场，介质内部的场分布？
3．如果看介质板表面的场分布，需要用到 creat surface 功能，创建一组surface，并对其命名，如"aa"，再在 field plot 中选择 "aa" ，即可。
8、请问hfss9.0在waveport设置选项中
integration line如何理解，通常我采用系统的缺省设置“none”。但是，integration line在什么情况下不用设置，什么情况下必须设置？如何设置使仿真结果更加准确？
1．integration line是指电场积分得到最大电压的路径，一般情况下不用设定，如果要设定，可根据其含义进行定义，很简单
9、在HFSS里，怎么定义一个物体为接地面？
在HFSS里，怎么定义一个物体为接地面？？在HFSS里，怎么定义一个物体为接地面？？在HFSS里，怎么定义一个物体为接地面，是不是定义它的阻抗为零，或者其他？
1．by default boundary is PEC.
2．一个物体还是一个面物体怎么定义接地面，除了楼上兄弟说的，还可以定义一个面为PEC，设定其为接地面。
3．注意在hfss中，暴露在背景的物体的表面为理想导体面（pec）。你可以想象在物体四周都为pec。所以在仿真天线时，外面要设radiation。
4．既然默认情况下，暴露在外面的为理想电壁，那么设置微带天线溃源时怎么设置呢，我现在在一个
微带端口表面给它加一垂直的面，将此面定义为waveport激励面，但是运行显示错误信息为：There are no bounderies to define wavepor1 correctly.  this maybe
due to incrrect materia definitions for those object that make up  the port surface! 我已将构成次面的物体材料定义为PEC,  为什么还会出先这错误，望指教？
5．我认为你应该把端口定义为GAP SOURCE
6．同轴馈电，同轴末端要加一个和同轴外导体直径相同的pec，然后在同轴末端定义waveport，
10、如何在ADS中实现双调谐电路的仿真？
如何在ADS中实现双调谐电路的仿真？最近在做一些双调谐回路的仿真，但在ADS软件软件中却没有到互感线圈的模型，知道的朋友指点一二。谢谢！！
1．在Lumped-Components有一个叫做MUTIND的东西，可以定义两个电感之间的互感。
11、AnsoftDesigner求救
Ansoft Designer 求救大家好：我按照帮助文件的步骤用Ansoft Designer 软件设计的滤波器在做分析
的时候怎么总是出现错误，提示是这样的：1 No Circuit elements to analyze.  2 Line no: 16==> Invalid Character in the input.
1．重新插入一个滤波器设计，再分析就行.有时在原有的例子上第二次打开分析会出现上述问题.
12、请问20*log(S(2,1))在ads里面是什么意思啊？
请问20*log(S(2,1))在ads里面是什么意思啊？请问20*log(S(2,1))在ads里面是什么意思啊？他的结果和dB(S(2,1))相差很大，因为S(2,1)是复数不知道这是代表什么物理意义？
1．是晶体管在电路中的插入增益
2．S21是一个复数，所以一般不要直接用复变量的LOG()函数。Some facts Let S21 = x + j * y = r * exp(j * phi),  here x, y are real numbers, r > 0, and phi is in rads (=degr ees*pi/180)
1. dB(S(2,1)) = 20*log(r) = 20*log(MAG(S(2,1))) = 20*log(ABS(S(2,1))), is a real number
2. 20*log(S(2,1)) = u + j * v, is a complex number
where      u = dB(S(2,1)) = 20*log(r)    v = 20*log(exp(phi)) 3. Let w = SQRT(u * u + v * v)，如果你要直接用20*log(S(2,1))画图，其实画出来的是w的图。
13、求助，关于ADS中微带线模型！
求助，关于ADS中微带线模型！各位大侠，想问你们一个可能很简单的问题，在ADS2003中，我们在设计原理图的时候，要用T型结的模型，但是在ADS中，T型结的模型有两个，我们该用那一个呢，我们设计的电路是工作在10GHz和40GHz的。那两个模型有什么区别呢，我看了帮助，但是还是不知道该用哪个！
T-Junction Model都是在数值分析基础上从计算参考面反推出来的。MTEE_ADS(Libra DS Model)在从参考面反推过程中考虑了散特性及寄生电容特性，因而比MTEE(MDS Model)更加适合用在微波及毫米波段。但是MTEE_ADS的三端口线宽比MTEE的限制要多，请参考帮助文件。问题是如果用Momentum来仿真Layout的话，用哪一个会有什么区别呢?
1．ADS我就会一些最简单的操作。有源电路倒不知道怎么样用Momentum来仿真，很多例子是做出Layout 然后反过来修正Schematic，最终是用Schematic来做仿真。上次你问的T-junction我用一个10GHZ微带分支线耦合器看了一下, 仿真范围5-14GHZ, 在FREQ<7GHZ时，MTEE, MTEE_ADS和Momentum的结果吻合得很好；在7GHZ<FREQ<10GHZ, MTEE_ADS和Momentum很接近，MTEE误差稍微大一些；在FREQ>10GHZ，MTEE_ADS很快就变得很差了，反倒是MTEE与Momentum的变化趋势比较接近。以上的观察不一定很准确，仅供参考。
14、在ADS中s参数仿真器所谓的nf(1),nf(2)是什么意思？？
在ADS中s参数仿真器所谓的nf(1),nf(2)是什么意思？？在ADS中，，s参数仿真器所谓的nf(1),nf(2)是什么意思？？
1．nf(1),nf(2)，分别是端口1和2的噪声系数，一般我们需要知道的nf(2)，也就是我们的信号经过整个电路后的噪声系数，如果你需要低噪声的话，尽量使nf(2)小就可以了！nf(1)一般不管的！
2．做看你那个是输出端口，若第N端口输出当然用nf(n)
15、怎样在AnsoftDesigner建立自己的管子？
怎样在Ansoft Designer建立自己的管子？怎样在Ansoft Designer建立自己的管子，还能带有各个频率的S参数的？
1．—ads中有好多种器件的非线性模型，如果你有模型参数的划直接输入就可了。如果只是有S参数，可用S2P（多端口SnP）文件Tuchstone 格式，请参阅Ads的文档手册；要是想建立小信号模型，可以根据测试的S参数，根据小信号等效电路用优化的方法提取。
2．—ansoft中有好多种器件的非线性模型，如果你有模型参数的划直接输入就可了。如果只是有S参
数，可用S2P（多端口SnP）文件Tuchstone 格式，请参阅ansof的文档手册；要是想建立小信号模型，可以根据测试的S参数，根据小信号等效电路用优化的方法提取。
3．楼上的说的对s参数的可以用写字版打开，然后用记事本存档，既可以了！对于非线性的，或者不是参数的线性管子只要在模型里输入参数就可以了
4．把S2P文件导入到一个模型：在Data Items里选S2P器件，就可导入你做好的s2p文件
16、HFSS里面能不能修改输入功率？？
HFSS里面能不能修改输入功率？？能不能解决功率容量问题？
1．可以，好像在后处理中可以改变，一般为默认标准值！
2．post process---fields---Data--edit sources
3．HFSS中的edit sources是编辑源特性的，它只是调整各端口信号的相位和幅度比。并不能做功率容量的仿真。功率容量可以通过公式估算，但大功率一般都要做实验才能验证。
4．功率容量和形状、工艺、介质等多方面有关，估算只是按理想状况。你可以查查有关书籍。但试验是不可少的
17、hfss仿真微带贴片问题
用HFSS仿真一个微带贴片加一段微带线，如果把它们看作一个片面，请问端口如何设置?如果设成BOX请问厚度大概多少?
1．贴片和微带线可以设置为perfect E，端口设置为Gap source
2．Gap source？不对吧，直接用port就行了，相当于侧馈电吗！
18、请问两根微带线靠的多近会产生耦合？？
数据验证怎么设置下拉菜单用户名：romanpan ：romanpan@sina发言：
请问两根微带线*的多近会产生耦合？
1．3~4mm，耦合40dB
2．用CST模拟过，具体数据记不清了。间距应不小于带线宽。
3．我用0.3mm的线宽，2mm以上耦合就很小了，
不过我想主要是和微带或带线的宽度有关，一般
是几倍的线宽（忘了，书上有）。
求助1dB压缩点和3阶交调的Ads仿真方法？
求助1dB压缩点和3阶交调的Ads仿真方法？
对于已设计的放大器，怎么测试输出功率，1dB压缩点和3阶交调？和随频率的结果？
1．如果输出负载是50Ohm，可以直接用dBm（Vout）看输出功率；Vout为输出节点。
1dB压缩点直接用XDB仿真得到；
三阶交调可参考ADS自带的MIXER三阶交调的例子；
作以上仿真时作频率扫描即可看到随频率变化的结果。
19、如何制作S2P文件?
S2P文挡包括三部分： 1.A n O P T I O N L I N E2.d a t a l i n e s3.c o m m e n t s如：
#G H z S M A R50是第一行， 代表频率单位是G H z,S参数， M A代表S参数的模和模角（度）， R50代表50欧系统
d a t a l i n
e s你可将M A格式的S11,S12,S21,S22分别列出即可。具体为：
F r e q M a g A n g M a g A n g M a g A n g M a g A n g
f r e q S11S11S12S12S21S21S22S22
将所有的频率点的S参数列出即可
c o m m e n t s代表注解行 加一！即可， 类似V B6里加'一样
20、 我做了一个f0=7825M H z，带宽60M H z的滤波器。指标I L<1.2d B。实际做出来为1.6d B.我采用的形式为同轴，单腔16×16。频率高，我估计是工艺的问题造成插损偏大。请问版主频率高的滤波器采用什麽工艺形式降低插损。还有我只采用h f s s仿真各偶合孔的大小，体积小整体模型仿真不好仿，因此我没有进行这一步。我以前没做过7G的滤波器。请指导
请给出单个腔体的尺寸 我给你估算一下损耗，杆的直径长度 多少级？
杆的直径为4.8m m，m=6.
m是级数还是长度？
不好意思，没写清楚.直径=4.8m m.级数=6.长度=5.4m m.连谐振器长度一起预计损耗?版主你是如何计算的?我计算好像没有考虑谐振杆长度.只考虑了腔体大小和采用的低通原型的g值以及材料(铜).我采用的低通原型为0.01d B切比雪夫.谢谢
假设你的回波损耗为22d B，按你以上的尺寸和指标工艺表面粗糙度为60%估计损耗为1.61d B，假设你能提高工艺表面粗糙度为80%的话损耗为1.2d B，但不满足<1.2d B的指标。如果带宽不能展宽了，建议杆长度> 7m m。
楼主没有说明用多高的腔体啊？杆长了要是超过了腔体的高度就不行了啊。
腔体高度10.5m.用h f s s仿真L>7m m的时候f0=7G H z左右.版主能不能说下根据谐振器长度预计损耗的公式?谢谢!

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