金属前介质层（PMD）
金属间介质层（IMD）
W塞 （W PLUG）
钝化层（Passivation）
Cassette 装晶片的晶舟
CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸
Chamber 反应室
Chart 图表
Child lot 子批
chiller 制冷机
Chip (die) 晶粒
Chip：碎片或芯片。
clamp 夹子
CMP 化学机械研磨
Coater 光阻覆盖（机台）
Coating 涂布，光阻覆盖
Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗
Control Wafer 控片
Correlation：相关性。
Cp：工艺能力，详见process capability。
Critical layer 重要层
CVD 化学气相淀积
Cycle time 生产周期
Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
Defect 缺陷
DEP deposit 淀积
Depth of focus（DOF）：焦深。
Descum 预处理
Developer 显影液；显影（机台）
developer：Ⅰ）显影设备； Ⅱ）显影液
Development 显影
DG dual gate 双门
DI filter 离子交换器
DI water 去离子水
Diffusion 扩散
disk 靶盘
disk/flag faraday 束流测量器
Doping 掺杂
Dose 剂量
Downgrade 降级
DRC design rule check 设计规则检查
Dry Clean 干洗
Due date 交期
Dummy wafer 挡片
E/R etch rate 蚀刻速率
EE 设备工程师
ELS extended life source 高寿命离子源
enclosure 外壳
acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子
Acid：酸
actuator激励
ADI After develop inspection显影后检视
AEI After etching inspection蚀科后检查
AFM atomic force microscopy 原子力显微
ALD atomic layer deposition 原子层淀积
Align mark(key)：对位标记
Alignment 排成一直线，对平
Alloy：合金
Aluminum：铝
Ammonia：氨水
Ammonium fluoride：NHF
Ammonium hydroxide：NHOH
Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
amplifier 放大器
AMU 原子质量数
deposition
Analog：模拟的
analyzer magnet 磁分析器
Angstrom：A（E-m）埃
Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）
Antimony(Sb)锑
arc chamber 起弧室
ARC： anti-reflect coating 防反射层
Argon(Ar)氩
Arsenic trioxide(AsO)
Arsenic(As)砷
Arsine(AsH)
ASHER 一种干法刻蚀方式
Asher：去胶机
ASI 光阻去除后检查
ASIC 特定用途集成电路
Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
ATE 自动检测设备
Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
Backside Etch 背面蚀刻
Backside 晶片背面
Baseline：标准流程
Beam-Current 电子束电流
Benchmark：基准
BGA ball grid array 高脚封装
Bipolar：双极
Boat：扩散用（石英）舟
BPSG 含有硼磷的硅玻璃
Break 中断，stepper机台内中途停止键
cassette 晶片盒
End Point 蚀刻终点
e-shower 中性化电子子发生器
ET etch 蚀刻
Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
Exposure 曝光
extrantion electrode 高压吸极
FAB 工厂
fab：常指半导体生产的制造工厂。
FIB focused ion beam 聚焦离子束
Field Oxide 场氧化层
filament 灯丝
film：薄膜，圆片上的一层或
多层迭加的物质。
flat aligener 平边检测器
flat：平边
flatband capacitanse：平带电容
flatband voltage：平带电压
Flatness 平坦度
flow coefficicent：流动系数
flow velocity：流速计
flow volume：流量计
flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
Focus 焦距
forbidden energy gap：禁带
Foundry 代工
four-point probe：四点探针台
FSG 含有氟的硅玻璃
functional area：功能区
Furnace 炉管
gate oxide：栅氧
glass transition temperature：
玻璃态转换温度
GOI gate oxide integrity 门氧化层完整性
gowning：净化服
gray area：灰区
gyro drive 两方向偏转
hard bake：后烘 ，坚烘,soft bake (软烘)
HCI hot carrier injection 热载流子注入
HDP：high density plasma
高密度等离子体
heat exchange 热交换机
High-Voltage 高压
host：主机
Hot bake 烘烤

版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系QQ:729038198，我们将在24小时内删除。