半导体专业词汇-20060412
半导体专业词汇
1. ADI 显影后检查
.定义：After Developing Inspection 的缩写
.目的：检查黄光室制程；光刻胶覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良等即予修改，以维护产品良率、品质。
.方法：利用目检、显微镜为之。
2. AEI 刻蚀后检查
.定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光刻胶去除前及光刻胶去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
.目的：a. 提高产品良率，避免不良品外流。b.达到品质的一致性和制程的重复性。c.显示制程能力的指针。d.阻止异常扩大，节省成本
.通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低的缺点。
3. AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室的前，需穿无尘衣，因在外面更衣室的故，无尘
deposition
衣上沾着尘埃，故进洁净室的前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
4. AL/SI 铝/硅靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar（氩）游离的离子，
让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用的组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。
5. AL/SI/CU 铝/硅/铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5
﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象、（ELECTROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。
6. ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar（氩）游离的离子，让
其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线的连接。
7. ANGSTRON 埃 埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度的
五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
8. APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压
力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写。
9. 烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的
烘箱内或热板上均可谓的烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光刻胶后，主要目的是为了将
光刻胶中的溶剂蒸发去除，并且可增加光刻胶与芯片的附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光刻胶附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不够长会造成过蚀刻。
10. BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传
送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称的为Boat。一般晶舟有两种材质，一是石英、另一是特氟龙。石英晶舟用在温度较高（大于300℃）的场合。而特氟龙晶舟
则用在传送或酸处理的场合。
11. CH3COOH 醋酸 AETIC ACID 醋酸澄清、无液体、有刺激性气味、熔点16.63℃、沸点
118℃。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上的纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。
12. CHAMBER 真空室,反应室 专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应
或金属溅度等。针对此特殊空间的种种外在或内在环境：例如外在颗粒数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件。 13. CMOS 互补式金属氧化物半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序是先
在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层多晶硅（或金属）作为栅极，利用加到栅极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载流子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由空穴导电）。而互补式金属氧化物半导体（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强等许多优点，是超大规模集成电路（VLSI）的主流。
14. COATING 光刻胶覆盖 将光刻胶以浸泡、喷雾、刷布、或滚压等方法加于芯片上，称为
光刻胶覆盖。目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转
的芯片支持器上，适量的光刻胶加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光刻胶向外流开，很均匀的散在芯片上。而旋转速度和光刻胶黏滞性绝应所镀光刻胶的厚度。
光刻胶加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光刻胶中过多的溶剂，进而使光刻胶膜较为坚硬，同时增加光刻胶膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光刻胶膜即软烤过程，也就是完成了整个光刻胶覆盖的步骤。
15. CWQC 全公司品质管制 品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员
协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制
（Company Wide Quality Control）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体质；
即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质，以及全员有体系导向的体质。
16. CYCLE TIME 生产周期时间 指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需的生产/制造
时间。生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期时间”（WAFER-OUT CYCLE TIME ），一为“制程周期时间”（PROCESS CYCLE TIME）。一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算的：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）。IC制造流程复杂，且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成，谓的Cycle Time。由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效，故Cycle Time越短，竞争能力就越高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。由于Cycle Time 长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利，早日出FIB上市销售。
17. DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光刻胶附着力。以免芯
片表面曝光显影后光刻胶掀起。方法：在光刻胶覆盖的前，利用高温（120℃或150℃）加热方式为的。
18. DENSIFY 密化 CVD沉积后，由于所沉积的薄膜（THIN FILM的密度很低），故以高温步
骤使薄膜中分子重新结合，以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。
19. DIFFUSION 扩散 在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜渐渐淡去，
而水面下渐渐染红，但颜是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子注入的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
20. DI WATER 去离子水 IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤
的后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离子级颗粒（particle），经厂务的设备将的杀菌、过滤和纯
化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞，专供IC 制造的用。
21. DOPING 掺入杂质 为使组件运作，芯片必须掺以杂质，一般常用的有：预置：在炉管内
通以饱和的杂质蒸汽，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱进扩散；
或利用沉积时同时进行预置。离子注入：先使杂质游离，然后加速注入芯片。
22. DRIVE IN 驱进 离子注入（ion implantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限
于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将注入时产生的缺陷消除。此方法称的驱进。在驱进时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱进原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。

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