PECVD设备的主要用途
1.2.1  利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于这种性质的存在，低温沉积Si3N4减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
1.2.2  用于集成光电子器件介质SiYNX膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。
1.2.3  在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。
1.2.4  在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3µm以下的线条.
等离子体化学气相沉积 plasma chemical vapor deposition
简称PCVD.是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气
体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激活能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。
等离子体概论—
物质存在的状态都是与一定数值的结合能相对应。通常把固态称为第一态，当分子的平均动能超过分子在晶体中的结合能时，晶体结构就被破坏而转化成液体(第二态)或直接转化为气体deposition(第三态)；当液体中分子平均动能超过范德华力键结合能时，第二态就转化为第三态；
气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种集合体形态，从而形成了物质第四态——等离子体

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