CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）是一种常用的薄膜生长技术，用于在固体表面上沉积薄膜材料。CVD的基本原理如下：
原料气体供应：在CVD过程中，需要提供适当的原料气体。这些气体可以是气态化合物或气体混合物，其中至少包含了所需的元素或化合物。
携带气体：通常需要使用携带气体将原料气体输送到反应室。携带气体可以是惰性气体（如氮气或氩气），其作用是稀释原料气体并促进其传输。
deposition反应室和基片：原料气体与携带气体混合后，将其引入反应室中。反应室内的基片（通常是固体材料）是薄膜生长的目标表面。
反应发生：在反应室中，原料气体与基片表面发生化学反应。这些反应会导致气相中的原子或分子在基片表面上沉积，并形成薄膜结构。
条件控制：CVD过程需要精确控制多个参数，如温度、压力、原料气体浓度和反应时间等。这些参数的调节可以影响薄膜的生长速率、结构和性质。

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