cmp 抛光术语
CMP 抛光是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，全称为 Chemical Mechanical Polishing，也称 Chemical Mechanical Planarization，即化学机械抛光或化学机械平坦化。比较指令cmp怎么用
CMP 抛光与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，它是由化学作用和机械作用两方面协同完成的。在传统抛光方法中，机械抛光研磨一致性好，表面平整度高，但容易出现表面层损伤，表面粗糙度比较高；化学抛光表面精度高、损伤低、完整性好，但研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面精度，研磨一致性比较差。而 CMP 抛光采用机械摩擦与化学腐蚀相结合的工艺，二者交替进行，最终完成工件的抛光。
CMP 抛光主要应用在半导体制程中，晶圆在制造过程中不断经过沉积、曝光、显影、蚀刻，而推砌出一层层的微电路，每一层就会利用 CMP 抛光方式让表面平坦，从而提高积体电路的品质。

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