《电子技术基础》国考复习（选择题、判断题）试题及答案
基本信息：[矩阵文本题] *
姓名：
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学号：
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班级：
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1.杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（）。 [单选题] *
A．掺杂浓度
B．工艺
C. 温度(正确答案)
D．晶体缺陷
2.在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。 [单选题] *
A．大于
B. 等于
C. 小于(正确答案)
D. 与温度有关
3.在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。 [单选题] *
A．大于
B. 等于(正确答案)
C. 小于
D. 与温度有关
4.在N型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。 [单选题] *
A．大于(正确答案)
B. 等于
C. 小于
D. 与温度有关
5.锗二极管正向导通的条件是（）。 [单选题] *
A. Ub=0.7V
B. Ub =0.3V(正确答案)
C. Ub =0.5V
D. Ub =0.1V
6.硅二极管正向导通的条件是（）。 [单选题] *
A．Ub=0.7V(正确答案)
B. Ub =0.3V
C. Ub =0.5V
D. Ub =0.1V
7.二极管正向导通时的电阻RD （）。 [单选题] *
A. 很小(正确答案)
B. 很大
C. 等于1k
D. 无法确认
8.二极管反向导通时的电阻RD （）。 [单选题] *
A. 很小
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B. 很大(正确答案)
C. 等于1k
D. 无法确认
9.晶体二极管最显著的特性是（）。 [单选题] *
A. 开关特性
B. 信号放大特性
C. 单向导通特性(正确答案)
D. 稳压特性
10.硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于（）。 [单选题] *
A．正向导通状态
B．反向电击穿状态(正确答案)
C．反向截止状态
D．反向热击穿状态
11．测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则该三极管各管脚的名称是（）。 [单选题] *

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