模拟电子技术
模拟电子技术考试（包含填空，单选，判断，简答题）
基本信息：[矩阵文本题] *
姓名：
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1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为_________V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_________V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。 [填空题]
空1答案：0.5V
空2答案：0.7V
空3答案：0.1V
空4答案：0.2V
2.二极管的正向电阻_________；反向电阻_________。 [填空题]
空1答案：小
空2答案：大
3.二极管的最主要特性是_________。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流，耗尽层___。 [填空题]
空1答案：单向导电性
空2答案：大于
空3答案：变窄
4.二极管最主要的电特性是_________，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个_________。 [填空题]
空1答案：单向导电性
vb设计模拟密码输入器
空2答案：电阻
5.电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为_________电子技术。 [填空题]
空1答案：模拟
6.PN结反向偏置时，PN结的内电场_________。PN具有_________特性。 [填空题]
空1答案：增强
空2答案：单向导电
7.硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为_________伏；其门坎电压Vth约为_________伏。 [填空题]
空1答案：0.7
空2答案：0.5
8.二极管正向偏置时，其正向导通电流由_________载流子的_________运动形成。 [填空题]
空1答案：多数
空2答案：扩散
9.P型半导体的多子为_________、N型半导体的多子为_________、本征半导体的载流子为___。 [填空题]

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