1. 简述JTAG接口在嵌入式开发中的作用。
定义
JATG(Jonit Test Group,联合测试行动小组)是一种国际标准测试协议，主要用于芯片内部测试及对系统进行仿真、调试、JTAG技术是一种嵌入式调试技术，它在芯片内部封装了专门的测试电路TAP（Test Access Port,测试访问端口），通过专用的JTAG测试工具对内部节点进行调测试。
目前大多数比较复杂的器件都支持 JTAG 协议，如 ARM DSP FPGA 器件等。标准的JTAG接口是4线：TMS  TCK  TDI  TDO ,分别为测试模式的选择、测试时钟、测试数据输入和测试数据输出。目前JTAG接口的连接有两种标准，即十四针接口和二十针接口。
作用
1. 用于烧写FLAS
烧写FLASH的软件有很多种包括   fluted flashpgm等等，但是所有这些软件都是通过ja
tg接口来烧写flash 的，由于pc机上是没有jatg接口的，所以利用并口来传递信息给目标板的jatg接口。所以就需要并口来转jatg接口的电路。
2. 用于调试程序
同时应该注意到jtag接口还可以用来调试程序。而调试程序（如ARM开发组件中的AXD）为了通过jatg接口去调试目标板上的程序，同样是使用pc的并口转jatg接口来实现与目标板的通信。这样并口转jtag接口的电路就有了两种作用。
3.仿真器
根据1和2的总结，并口转JTAG接口的电路是两种应用的关键，而这种电路在嵌入式开发中叫仿真器。并口转JTAG接口的电路有很多种，有简单的也有复杂的，常见的仿真器有Wigger、EasyJTAG、Multi-ICE等。这些所谓的仿真器内部电路都是并口转JTAG接口，区别只是电路不同或使用技术不同而已。
2. 简述嵌入式平台的搭建过程。
1. 裸机 下载bootloader.  JTAG---并口 平台 –mpu
2. 完成bootloader的下载 （此时还没有os）,目标板和主机的通信时通过host机来完成的，命令也在bootloader
3. 串口调试 linux—minicom 串口名—ttyso ,ttys
4. 在终端输入 minicom—命令 目标板的窗口
XHYPER255B>tftp  x-boot 255 leader//把放在tftpboot里的文件通过tftp下载到bootloader SDRAM
XHYPER255B>flash  loader//把目标板的SDRAM刚下载的烧写到flash
XHYPER255B>tftp zlmage kernel//OS内核镜像 下载到SDRAM命名为kernel
XHYPER255B>flash kernel
XHYPER255B> tftp rootfs.img root//文件系统的镜像
XHYPER255B>flash  root
做完后就有操作系统（OS），也有文件系统了。
5.tftpboot 内核定制
Make menuconfig（菜单方式) make xconfig(图形方式)
Make dep(建立内核依赖关系)
在运行 make ZImage(操作系统的内核是压缩的)uncompress…
6定制文件系统 rootfs.img
文件系统—与贮存的器件有关，文件系统的属性是只读；
7.网络设置
Pc跟目标板之间的网络连接
协议：bootp协议—作用：广播 侦听
8.ftp  tftptab
9.下载
PATH=＄PATH:/osr/local/hybus-arm-linux-R1、1/bin
10.应用开发 Nfs
3给出现今有那些嵌入式开发的芯片名称。它们分别是哪个公司的产品？体系结构是什么？
ARM芯片：英国ARM公司
ARM公司自1990年正式成立以来，在32为RISC（Reduced Instruction Set Computer CPU）开发领域不断取得突破，其结构已经从V3发展到V6。由于ARM公司自成立以来，一直以IP（Intelligence Property）提供者的身份向各大半导体制造商出手知识产权，而自己从不介入芯片的生产销售，加上其设计的心核具有功耗低、成本低等显著优点，因此获得众多的半导体厂家和整机厂商的大力支持，在32位嵌入式应用领域获得了巨大的成功，目前已经占有75%以上的32位RISC嵌入式产品市场。在低功耗、低成本的嵌入式应用领域确立了市场领导地位。现在设计、生产ARM芯片的国际大公司已经超过50多家，国内中兴通讯和华为
通讯等公司也已经购买ARM公司的芯核用于通讯专用芯片的设计。目前公司有ARM7TDMI、StrongARM ARM720T、ARM9TDMI、ARM922T、ARM940T、ARM946T、ARM966T、ARM10TDM1等。自V5以后，ARM公司提供Piccolo DSP的芯核给芯片设计者，用于设计ARM+DSP的SOC（System On Chip）结构的芯片。此外，ARM芯片还获得了许多实时操作系统（Real Time Operating System）供应商的支持，比较知名的有：Windous CE、Linux、PSOS、VxWorksMucleus、EPOC、uCOS、BeOS等。随着国内嵌入式应用领域的发展，ARM芯片必然会或得广泛的重视和应用。但是，由于ARM芯片有多达十几种的芯核结构，70多家芯片生产厂家，以及千变万化的内部功能配置组合，给开发人员在选择方案时带来一定的困难。所以，对ARM芯片做一对比研究是十分必要的。
  Xscale: intel公司
Xscale是ARM体系结构的一种内核，基于ARM v5TE由intel公司开发，在架构扩展的基础上同时也保留了对以往产品的向下兼容，因此获得了广泛的应用。相比于ARM处理器，XScale功耗低，系统伸缩性好，同时核心频率也得到提高，达到了400MHZ甚至更高。这种处理器还支持高效通讯指令，可以和同样架构处理器之间达到高速传输。其中主要的一个扩展就是
MMS，这是一种64位的SIMD指令集，在新款的Xscale 处理器中集成有SIMD协处理器。这些级处理器。这些指令集可以有效的加快视频，3D图像，音频以及其他SIMD传统元素的处理。
基于Xscale的处理器主要包括：
Intel PXA25x  Intel PXA26x Intel PXA27x
4现今流行的嵌入式操作系统有哪些？
Linx/uClinux/WinCE/PalmOS/Symban/eCos/Ucos-II/VxWorks/pSOS/Nucleus/ThreadX/Rtems/QNX/INTGRITY/OSE/C Excutive.
5给出我们做实验的嵌入式开发板的接口有哪些？
一般实验嵌入式开发板的接口有串口/网口/Jtag/usb/salve,音频接口，硬盘接口，sd卡接口，还有一些主芯片的引脚引出来。
串口 一般是用来终端显示的
Usb口 一般是用来烧写程序的
华为linux系统下载网口 调试的时候，通讯的时候用到
Usb口分为 host和divice两种
还有并口，音频，电源接口等
6请写出Nor Flash 与Land Flash的区别。
一般而言，flash分为nor 和nand 两种，简单地说就是用or门和and门搭建的两种flash。目前用为海量存储器的flash都是nand结构，而一些当成rom使用的flash为nor结构。至于它们物理上的区别，我也不明白，为了让自己扫盲，特地了篇比较它们特性的入门文章，看来还是要多学习才行。Intel也将flash向pc主存储器方向推广，目前的产业能力也预示着这并不是妄想。目前最高容量的nand flash 已经达到16Gbit/单片，说不定过几年，我们再也不能在pc里听见读写磁盘发出的吱吱声了。
Nor和nand 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR FLAS
H技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND FLASH 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且向磁盘一样通过接口轻松升级。但是过了十多年之后，仍然有相当多的工程师分不清NOR和nand闪存。“flash存储器”经常可以和“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更合适一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。Nor的特点是芯片内执行（xip,excute in place）,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1~4MB的小容量是具有很高的成本效益，但是车本很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
Flash闪存是非易失性存储器，可以对称为块的存储单元进行擦写和编程。任何flash期间的写入操作只能是在或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先
进行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR期间是以64~128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间是5s，与此相反，擦除nand器件是以8~32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给的那个的一套写入操作，尤其是跟新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，选择存储解决方案时，设计师必须权衡一下的各项因素。
Nor的读速度比nand稍快一些
Nand的写入速度比nor快得多
Nand的4ms擦出速度远比nor的5s快
大多数的写入操作需要先进行擦除操作
Nand的擦除单元更少，相应的擦除电路更少。
接口差别
Nor flash带有SRAM接口，有足够的引脚地址来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。Nand器件使用复杂的I/O接口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8各引脚用来窜送控制、地址和数据信息。Nand读写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很重自然地，基于nand的存储器既可以取代硬盘或其它设备。
容量和成本
Nand flash 单元尺寸几乎是nor单元的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应的降低了价格。Nor flash 占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分，而nand flash 只是用在8~128MB产品中，这也说明了nor主要应用在代码储存介质中，nand适合于数据存储，nand在compact flash,secure digital,pc cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，flash是非常适合的存储方案。可以从寿命(耐用性)、为交换和坏处理三个方面来比较nor和nand的可靠性。
寿命（耐用性）
在nand山村中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。Nand存储器除了具有十比一的块擦除周期优势，典型的nand块尺寸要比nor器件的小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都会受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，nand发生的次数要比nor多），一个比特位会发生反转或报告翻转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测、错误更正（EDC/ECC）算法。EDC/ECC算法。这个问题对于用nand存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

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