专有名词解说—ETCH
◆ 英文名词 ： ETCH
◆ 中文名词 ： 蚀刻
◇定义：
利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程
◇说明：
使用物理方法(离子撞击)或是化学方法(薄膜与气体或是液体反应)，将薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保护，保留下来。
◇使用例子：
Poly etch、SiN etch、Contact etch、Metal etch、Pad etch。
专有名词解说—ETCH
◆ 英文名词 ： Dry Etch
◆ 中文名词 ： 干蚀刻
◇定义：
利用气体作为与薄膜反应的物质，用物理或是物理加化学的反应去除材料
◇说明：
电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻，如CF4电浆系统可蚀刻SiO2。
◇特性：
可以控制蚀刻时的方向性，得到平直的蚀刻剖面，但一般一次都只能蚀刻一片芯片
专有名词解说—ETCH
◆ 英文名词 ： Wet Etch
◆ 中文名词 ： 湿蚀刻
◇定义：
利用在溶液中的化学反应，将材料移除的过程
◇使用例子：
使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸H3PO4溶液去除Si3N4薄膜、使用HF蚀刻SiO2。
◇特性：profile中文
蚀刻为等向性蚀刻，侧壁不比直，为曲线状，多为Batch式。
湿蚀刻制程示意图
专有名词解说—ETCH
◆ 英文名词 ： Plasma
◆ 中文名词 ： 电浆
◇定义：
将气体加上电压，形成一个部分离子化的气体系统，成分包含离子、电子、分子与原子团。
◇说明：
电浆当中所含的正电和负电粒子具有相同的浓度。带电粒子的密度大概是109 ~ 1011/cm3，而离子比中性粒子的比例是10-4 ~ 10-6。
◇使用例子：
干蚀刻技术--电浆蚀刻、PECVD (Plasma Enhanced CVD)

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