87A、150V N沟道增强型场效应管
SVGP159R3NL5A N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。特点
♦87A，150V，R DS(on)（典型值）=7.9 mΩ@V GS=10V
♦低栅极电荷量
♦低反向传输电容
♦开关速度快
♦提升了dv/dt能力
♦100%雪崩测试
♦无铅管脚镀层
♦符合RoHS环保标准
关键特性参数
产品规格分类
极限参数(除非特殊说明，T
=25︒C)
A
热特性
电气参数(除非特殊说明，T
=25︒C)
J
静态参数
查看svg动态参数
反向二极管特性参数
注：
1. 脉冲时间5µs；
2. 耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25︒C时耗散功率值随着温度每上升1度减少1.14W/︒C；
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
4. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线
典型特性曲线(续)

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