第18卷，第6期V o l.18 $N o.6
电子与封装
ELECTRONICS & PACKAGING
总第182期
2018年6月
/i T r i x/t T p i n y i T r i x/t T p i n/t T p i n/i T r i N/t TTI n
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4-70U rr J i l l
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基于ATE的ADSP测试
武乾文，奚留华，张凯虹
(中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214035)
摘要：随着集成电路技术的飞速发展，A D S P的应用越来越广泛，其测试技术得到广泛的重视及研 究。简要介绍了 A D S P的重要组成部分，提出一种A T E对A D S P测试的方法。A D S P的测试包括功 能测试、直流参数测试及交流参数测试，其中功能测试对A D S P是至关重要的。以AD SP-TS201S为例，其功能测试是通过Ultra E d it软件编辑生成测试码，导入测试仪器，对被测器件进行地址叠加操 作，以检查其功能。主要讲述A D S P功能及交流参数测试的关键技术及其注意事项。
关键词：A T E;A D S P；测试；功能；交流参数
中图分类号：TN307 文献标识码：A文章编号：1681-1070 (2018) 06-0012-05
ADSP Testing Based on ATE
WU Qianwen,XI Liuhua,ZHANG Kaihong
{China Electronics Technology Group Corporation No.5" Research Institute, Wuxi214035, China) Abstract: With the rapid development o f integrated circuit technology,the application o f ADSP is beco
ming more and more extensive.Testing technology o f integrated circuit has been paid more and more attention.The paper briefly introduces the important components o f ADSP,and puts forward the way o f testing ADSP by ATE.ADSP testing includes functional testing,DC parameter testing,A C parameter testing.Functional testing is essential for AD SP.For example,functional code o f AD SP-TS201S is edited by Ultra Edit software and imported into test equipment.Address overlay operation o f the device is performed to check its function.The key technology and announcements o f function testing and A C parameters testing o f A DSP are mainly stated. Keywords: A T E;AD SP;testing;function;A C parameter
i引言
A D S P就是高级信号处理器e i-2f。美国模拟器件公 司（ADI)继A D SP-T S101后在2003年推出新一代Tiger-S H A R C处理器AD SP-TS201。此处理器片内集 成更大容量的存储器，性价比高，兼有A S IC、F P G A的 信号处理性能以及指令集处理器的可编程性和灵活 性，适用于性能要求高、存储量大的信号处理以及图 像应用，如雷达与声纳、无 、图像处理以及工业器。
A D S P的应用广泛，其在生产、应用等各个阶段都 要进行测试以确 品量以及研制出要求的电路，应用于军工设备的A D S P，7
量，可性，集成电 测、要[3-6]。但A D S P于大模集成电，其内集成高、模 块复杂，外部引脚数量大，其功能测试具有一定的难度。
2 测试仪器和电路
G150测试机具有精度高、操作方便等特点，适于对 AD SP-TS201S电路的测试。该系统测试频率30 M H z，
收稿日期=2017-12-27 -12 -
第18卷第6期武乾文，奚留华，张凯虹：基于ATE的ADSP测试
测试腫数达512个，$赋向量深度可达1M。
3功能测试
3.1 A D S P功能原理
TS201在T S101结构的基础上做了进一步改进。其改进结构如图1所示，TS201S可分成D S P核以及 I/O接口，通过4条总线传输数据、地址及控制信号。
D S P包含程序控制器、地址产生器及双运算模 块。程序控制器能提供可中断的编程模式，可以支持 汇编语言C/C++编程以及10指令周期流水y IA B能 预存5条指令y B T B能够减小分支跳 。地址产生器包 2个IA L U，能支 址以及间接寻址y 支 序以及 址，对数字信号处理特殊运算。双运算模块能独 作 SIMD，每个周期运算模块能 2条运算指令。
JTAG PORT
DATA A D D R ESS G EN ERA TION SOC B US
24M B ITS IN TER N A L M EM O R Y
M EM O R Y B LO C K S
JALU(PAGE C AC HE)
EX TER N A L 32-BITX32-BIT32-BITX32-BIT KxCROSSBAR CONNECT
PR O G RA M
PORT
_/»A D D R
HO ST J-BUS A D D R
J-B U S DATA PR O C
J-BUS A D D R CTRL
C-BUS J-BUS DATA
J-BUS A D D R
S-B U SA D D R
T iger S-BUS DAT
REGISTER R E G IS T E R
FILE
32-BITX32-BIT32-B IT X32-B IT
C O M PU TA TIO N A L B LO C K S
图1ADSP-TS201S电路原理图
I/O接口包含内部存储器、外部设备接口、DM A 控制器、链路口以及JTAG 口。内部存储器为24 Mb D R A M。TS201S及 T S101S采用 0.13 !m CMOS工艺 制造，TS201S的存储器容量为T S101S的4倍，其性 能 T S101提了。接口包含 接口、多处理器接口、S D R A M接口以及E PR O M接口。14个D M A通 预可成的数据 y
成了双向链路口 分信号(LVDS口
术，达到4 G bps数据吞吐量。IEEE1149.1兼容JTAG 接口，可 上 。
TS201S支持32 及40位浮点运算和8、16、32 和64位定点运算。每周执行4条指令，在600 M H z时 钟频率下能够达到48亿次/s运算（GM ACS)以及 36 /s运算(GFLOPS度[\
3.2 A D S P功能码编写
应用A T E对AD SP-TS201S功能码测试格式为二 进制式。ADSP-TS201S512个 ，其中265 个是 INPUT、OUTPUT及 INPUT/OUTPUT管脚，
数，为了 其功能，。选择系统时钟管脚及复位管脚分别输入信号，观察芯 输 的。如图2所示，ADSP-TS201处理器 的 4种，分 SCLK)、核时钟(CCLK)、外设总线时钟（SO CCLK)以及 口输出时钟(LxCLKO UT)。
图2 ADSP-TS201处理系统时钟
其 总线口提供 ，作为外部总线信号A C。核 核、总线、存储器、链路口来提供时钟，其指令执行速度 C C L K。
C CLK=SC LK xSC LK R A T x，如表 1 所示，SCLKRATx 的取值范围为4〜12。
置总线 ，即为S O C总线工作的频率，为1/2x C C L K。链路口输出的时钟为CCLK/C R，其C R是 L C T x速度设置，取值范围1〜4。
系统时钟输入管脚分别为SC LK、SCLKRAT2、
-13
-
第18卷第6期
电子与封装
图4 ADSP -TS 201S 启动状态无引导模式，如表3所示，一个IRQ 3-0的 输
入，存储器启动地址选择。
S S S S R R R T J U A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A C C C C S S D R R
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H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H 11101X X H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H
图3 ADSP -TS 201S 未启动状态
引 ，输入一个中断信号，
ADSP -TS 201S 启动存储器。
_________表3无引导模式启动存储器地址___________Interrupt Address
IRQ 0 0w 30000000 (External Memory 外部存储）IRQ 1 0x 38000000 (External Memory 外部 ）IRQ 2 0_ 80000000 (External Memory 外部存储）____IRQ 3______0' 00000000 (Internal Memory 内部存储）
ADSP -TS 201S 处理器在理想状态总是跳出重置, 等待一个中断信号的输入。在输入一个IRQ 3-0的中
,ADSP -TS 201S 有 的状态，直到循环了 60 以
，芯片
，存储器
开始叠加。
分析，芯片反应
可是个控
制管脚未输入
的。
当输入B M 及B M S 等管脚信号,ADSP -TS 201S
速，地址开
，如
4所示。
SCLKRAT 1 $ SCLKRAT 0等管脚。根据对外部总线速 度以及CCLK 、指令的执行速度考虑，测试本芯片时 SCLK 取30 M ，应用于设置PLL 时钟的倍率！值是由 3个外接引脚SCLKRAT 2-0来决定的，3个外接引脚 连接了拨扭开关，可以随时调整倍频系数的大小，系 数默认状态取5，核时钟由SCLK 倍频产生，核时钟 CCLK =5xSCLK =150 M 。
表1 ADSP -TS 201时钟速率
SCLKRAT 2-0
Ratio 速率
000400150106011710081011011012111Reserved
复位输入管脚是RSTIN 管脚。ADSP -TS 201S 有3 个引脚决定了复位电路，分别是RST -IN 、RST -O U T 以 及POR -IN 。RST -IN 是复位输入，是复位引脚，其作用 是设置D SP 为确定状态，使得程序进入空闲状态，再 根据复位操作的类型，RST-IN
指定时间确认。
RST -O U T 是复位输出，是RST -I N 的
，明
DSP 复位已经完成了。PORIN 是DRAM 电源复位设置。
除此以外，电源管脚分别是VDD _IO 、 VDD _DRAM 、VDD _A 、VDD 等，如表 2 所示,VDD 为 内核逻辑电源、VDD _A 为模拟电源、VDD _IO 为外部 I /O 电源、VDRAM 为DRAM 电源。
表2ADSP -TS 201处理系统电源
参数数值单位
内核逻辑电压VDD 1.2V 模拟电压VDD_A 1.2V 外部I /O 电压VDD;IO 2.5V DRAM 电VDRAM 1.6
V
参考电压管脚分别为SCLK _VREF 、VREF 。参考 电压定输入
值
，对输入引脚及时钟输入信
号设置电。测试程中，分别设置SCLK _VREF 、 VRE @管脚为1.2 V 。
如所
，加电及输入时钟、复位信号后，得到如
图3的运行，所有
位 示H
电平），芯片
有 作，分 其
，
可 是 为
管脚
入
， 。
分析，芯片
入中断信号，在重置之后对于
启动操作，ADSP -TS 201S 有4种引导选择：⑴ EPROM 引导；⑵外围设备引 3)链路口引
4)
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A D A R 0A a a
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第18卷第6期武乾文，奚留华，张凯虹'基于ATE的ADSP测试
由图4所示，同组地址数为12个，此时SCLKRAT2-0的输入数据为011，当其输入不同信号 时，同组地址数不同。以输入数据110为例，如图5所 示,〇地址的地址数为99个，当经过66个地址变化, 同组地址的个数稳定为18个。
4 ADSP直流参数测试
直流参数测试包括开/短路测试(0/S)、输出高/低 电平测试(VOH/VOL)、输入高/低电流测试(I im iL)、输入漏电流测试(1)181)0)、电源电流测试(K O等等。
5 ADSP交流参数测试
交流参数测试是测量器件晶体管转换的时序关 系，目的是保证器件在正确的时间发生状态转换。如 图6、图7所示,AD SP-TS201S交流参数包括核心时钟 循环时间!C C L K、系统时钟循环时间！sc l k、系统时钟循环 高电平时间!s c l k h、系统时钟循环低电平时间！s c l k l、系统时钟转换时间 ！_、系统时钟转换时间上升沿!scikr、系统时钟抖动谷忍度!sokj。
图6参考时钟一系统时钟循环时间
测试时钟循环时间！tck、测试时钟循环高电平时 间!t c k h、测试时钟低电平时间！T C K L，见图7。
图7参考时钟一测试时钟循环时间
由于各交流数的测试理和测试方法基本相同，以测试T S C L K R为例来说明交流数的测试过。在 ，把被测器件入测试系统，电源电定的电 ，其余输入 定的电平。测量系统时钟 0 1时间 过 的方式获得其值，功能码如图8所示。
S5S S R R R W A A AAA A AAA A AAA A AAA A AAA A AAA A AAA A AAD D DDD E EDD E EDD E EDD E DDD E EDD E EDD D DD；CCCC53DRRDEEDDEEDDEEDDEEDDEEDDEEDDEEDDEEDAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA.
LLL L T T H L M D D D D D D D D D D D D D D D D D D D DDD D DDD D CCD T TTT T TTT T TTT T TTT T TTT T TTT T TTT T TTT
KKK K I O R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R R A A M A A M A A M A A M A A M A A M A A M A A M.
R R F N U33_22.222222221111111111987654321066665555555555444444444433333333;
A A A T1D9S7654321O987SS43210 3210987554321D9S7654321098755432
TTT
aio
O S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X
O S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X
□X X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X S X X X
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0S2X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X22X X
O X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X
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O X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X
O S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X
l^X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X 12X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X
1X S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X
X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X S S X X
图8测试的功能码
6测试方法与标准验证
参考S R A M测试的直流参数规范标准，在规范测 试条件的测试值在，证了测试方法的
正确性，如表4所示。
7
ADSP的 组 ，出ATE A D S P测试的方法。电路的功
能测试及交流参数测试的关 。通过Ultra E dit软
件 生测试，导入测试器，对被测器件进行 地址 ，以 其功能。与此同时，结
能码，在A T E软件 相关参数，测试了 A D S P的
交流 数。
参考文献：
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第18卷第6期
电子与封装
表4测试实际值与规范标准对比验证
测试条件
规范值测试项目名称
符号
实测值
-40〜85 a
实测条件规范条件
!d d c 1.2 V ,!d d a c 1.2 V ,!D D I 〇c2.5 V , !d D D R A N ]C 1.6 V
最小
典型
最大
功能FUN !d d c 1.2V
@SCLK ^20 MHz
PASS --电源动态电流
"d D A
@CCLk 二600 MHz
@CCLk 二100 MHz 1.17502055^C A S E ^25 C !d d 【〇二2.5 V 电源动态电流"DD 【0@SCLk 二62.5 MHz
@SCLK ^20 MHz 57.072-150-^C A S E ^25 C !DDDhAM c1.6 V 电 电流
%DDDhAM @CCLk 二600 MHz
@CCLk 二100 MHz 93.4000280
430^C A S E ^25 C 电流"【H !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V !ddi 〇c 2.63 V
!【h c 2.63 V 123(A)-20
20电流"IH E D L !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V 54.783076电流"iH P D !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V 468.50300760电流"iH P U !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V !ddi 〇c 2.63 V !【h c 2.63 V 1.51-2020电流"iL !ddi 〇c 2.63 V !，0 V !ddi 〇c 2.63 V !，0 V 20(nA)-2020电流"m u !ddi 〇c 2.63 V !，0 V !ddi 〇c 2.63 V !，0 V -0.56-0.3-0.76电流
"【L P U A D !ddi 〇c 2.63 V !，0 V !ddi 〇c 2.63 V !，0 V -65.32
-30
-100
高电平电流!0H !ddi 〇c 2.38 V "〇h c -2 mA !ddi 〇c 2.38 V "〇h c -2 mA 2.55 2.18-电 电流!0L !ddi 〇c 2.38 V "〇h c 4 mA
!ddi 〇c 2.38 V "〇h ^4 mA
0.26-0.4上升沿时间
&S C L K R
jS C L k 二20 MHz
1.01-
1.5
单位
!A !A !A !A !A
V V ns
[5]毕威.简述IC 测试的意义和作用[J].微处理机,2017, (1): 6-12.
[>]兪建峰，陈翔，杨雪瑛.我国集成电路测试技术现状及发
展策略[/].中国测试,2009,35⑶：1-5.
[7]庞娜，刘书明，徐平.ADSP-TS201S 芯片的功能和应用[J].
国外电子元器件,2005,⑴：48-51.
作者简介％
武乾文（1968—)，男，江苏无锡人，高级工程师，1991年毕业于电子科 技大学，为国内D SP 测试专家。
(上接第7页）
器中心频率偏移优化到±5 M H z 以内，满足设计要求。 这一研究也表明要获得高性能的L T C C 滤波器必须 建立正确的工艺流程方案，保证产品工艺指标与设计 指标一致。参考文献：
[1] 陈骁勇，王亮，王颖麟，贾少雄，李俊.L T C C 电路基板金
extensive check层表面斑点问题研究[J].电子与封装，2017，17(3):1-4.
[2] 董兆文，李建辉，沐方清.LTCC 微波一体化封装[J].电子
与封装，2010，10(5):1-6.
[3] 张伟，秦超，贾少雄.带通滤波器LTCC 工艺优化研究[J].
电子与封装，2017，17(3):5-9.
[4] Zhenhai Shao, Masayuki Fujise. 60 GHz Narrow Band pass Filter Based on Circle Patch and LTCC[C]. IEEE 6t h International Conference on ITS Telecommunications Proceedings ， 2006: 1173-1174.
作者简介％
王亮（1988—)，男，湖北人，硕 士 ,2014
京科技大学材料
科学与工程学院，现从事LTCC 工艺 技 研究工 。
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