专业用语注释
一、不良用语
MURA  ——画面污渍的总称。TFT LCD画面显示后产生的污渍形态的不良。
X/Y Block——以X/Y TAB Block单位产生的不良；以Block单位产生异常点灯和Line Defect现象。
IDD      ——指TFT LCD的消耗电流。是驱动LCD时消耗的电流，IDD不良是指消耗电流的不良。
Data Loss ——指驱动LCD时从信号发生器传递的显示画面信号的不良。在画面出现小点为没有显示信号的不良现象。
DDC    ——表示Display Data Channel以及输入在I-Module产品内部的信息（生产工厂、生产日期、DDC信号形态），当DDC信息输入错误时产生的不良现象。
Wave    ——LCD画面显示时按Wave/横排/竖排形式在画面上出现周期性波浪形态的不良现象。
Common Short——表示由于Cell内部的导电性异物产生的1 Line形态的线缺陷不良现象。
Data Open——指随着Data信号Line产生的线缺陷的一种。
Gate Open——随着控制TFT Channel On/Off的Gate信号Line产生的线缺陷的一种。
Zaratsuke——由于TFT LCD Cell内部PI膜的损伤产生的Pixel单位或者凝结成一定形态的漏光现象的一种。
ESD——    由于静电的Discharging产生的微小线缺陷或Mura形态的不良。array工艺详解
Flicker——  由于TFT特性不良以及画面局部性抖动不良产生的现象，在Green L31 One Dot Skip 画面容易检查出来。
X-Talk (Cross-Talk)——显示Gray水准有差异的现象。在Cross Talk画面容易检查出来。
DG Short—— 由于Data Line 和Gate Metal layer间的Short产生的Line Defect现象。
二、Sputter原理介绍
Sputtering——通过RF Power或DC Power，具有高能量（102~103eV）的粒子撞击固体表面，通过动能的交换将固体表面的粒子撞击出来并贴附到基板表面的工程。
Plasma——  在电学上为通过放电而形成的阳离子和电子的集合。Plasma就是所谓的第四种物质状态。
Glow discharge（异常辉光放电）
一般薄膜溅射常用的放电形式，可提供面积较大、分布较均匀的等离子体有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积。
Sputtering yield——溅射率由以下条件决定：入射粒子的能量，target原子的结合能量；入射粒子的角度；target的晶体结构（单晶target）。
Arc——靶表面不平或杂质等影响，使溅射过渡到弧光放电区，较强的电流由某点集中射出，此现象称为Arc。
System Rack——内部主要包括设备的总电源开关，UPS电源开关，电源指示灯，设备各部分子系统电源开关等设备。
Heater Rack——主要作用为向设备各个加热元件提供电力，并且监视各加热元件状态，防止设备过热损坏。SMD-1200CX加热部分主要有两个，一个是L/UL Chamber中的加热灯，另一个是Sputter Chamber中Platen上的电阻加热丝。
DC Rack——主要负责为各Cathode提供溅射用的直流电。主要设备包括：异常放电探测器(MAM101)、Pinnacle直流电源、切替器和Noisy Filter。
Vacuum RIU——检测整个主系统各chamber真空度情况。
PM
PM——设备维护，包括：L chamber升降部件的上油， L chamber的清理，气体供给冷却水供给数据的整理，TO robot 摩擦力的测试，thickness数据的整理。
Grease up——利用油对设备需要润滑的部位进行注油。
Thickness——膜厚测试，对pm后dep的膜所做的膜厚度的测试。
Friction——摩擦力测试，对真空机器手上下臂的摩擦系数进行测量，从而检查出机器臂pad
对玻璃基板的摩擦状况，再确认是否更换新的pad。
Half clean——ITO设备靶材使用率过半后，为保持PI结果良好，对靶材所作的清理工作。
Load/unload chamber
L/UL Chamber——是ATM与真空状态的一个中介，在正常工作时，该Chamber一侧处于真空状态，另一侧处于大气状态，它的作用就是在这两种状态之间实现玻璃基板的传送。在把Substrate从Cassette送入T0时，要从大气压变到真空状态，同时还要实现对玻璃基板进行预热的功能，该功能是通过红外灯加热的形式实现的。在把Substrate从T0送出时，要从真空变到大气压状态。同时L/UL Chamber要将Dep.后玻璃基板进行冷却。（在L/UL室内壁四周有一圈隔热层，是双层中空的结构，起保温和隔热作用。在真空室中的隔热层基本上都是采用这种材料。）
Heat Plate——  玻璃基板从Cassette进入设备后，首先要在这里进行预热，预热使用的是64个红外灯(lamp Heater)。
Cooling Plate——玻璃基板成膜后的温度比较高，不可以直接进入低温的ATM环境中，所以
要进行冷却。
T0 chamber构成
Vacuum Robot——由于处于真空室中，因而不能对其使用真空引力来抓住Glass，而需要在每个Arm上使用阻挡物来防止Glass滑落。
玻璃基板有无传感器——在各个Chamber的入口处，都有一对可以感知玻璃基板边缘的传感器，可以感知玻璃基板的有无以及是否发生破碎。
Isolation Valve——如果一个Sputter Chamber出现问题，我们可以通过该Valve把它与设备隔绝，使设备继续工作，而只是对该Chamber进行维修。
Sputter chamber 介绍
Platen——      放玻璃基板的平台（Gate每个Ch 有两个）
Susceptor——  石英材质具有较好的热传导作用，能够为玻璃基板均匀加热，我们使用上、中、下三块，固定在Platen上。
Cathode(阴极)——包括Target(靶材)、Shield(防着板) 、Magnetic Bar(永久磁条)等构成部分。Motor：有Plate转动的Motor 、Plate 升降的Motor 、Cathode开关（Gate每个Ch 有两个）
Motor：有Plate转动的Motor、Plate 升降的Motor Cathode开关的Motor、Magnetic Bar运动的Motor等。
Door Valve——与Transfer Chamber之间有Door Valve。
PCW——(冷却水)由于SP Ch温度比较高，而且Plasma撞击target温度升高，不利于Process进行，需要通冷却水降低温度（6个进水口6个出水口）。
DC Power(1)
DC power——主要负责为各Cathode提供溅射用的直流电。主要设备包括：异常放电探测器(MAM101)、Pinnacle直流电源、切替器和Noisy Filter。
异常放电探测器(MAM101)——由于Particle或靶材表面状态不均，溅射时有可能发生异常放
电现象，对靶材造成破坏。异常放电探测器可以探测到异常放电现象，并且记录放电次数，统计一段时间内发生异常放电的频率。
Pinnacle直流电源——Pinnacle电源主要负责将输入的交流电转换为溅射用的直流电，并且确保溅射时直流电源功率恒定。同时Pinnacle电源内部还带有高速屏蔽功能，可以在异常放电发生的瞬间停止供电，降低异常放电的能量，减少造成的破坏。
电源切替器——SMD－1200CX设备每个Sputter Chamber都配备有一组Pinnacle电源。其中Gate设备每个Sputter Chamber安装有两个阴极，切替器的作用就是控制DC电源在两个阴极间切换。直流电源切替器安装在DC Rack的最上层，并且仅有Gate设备安装有切替器。
Noisy Filter——Noisy Filter安装在DC电源上方，其作用是为DC电源提供稳定的三相交流电。Noisy Filter与DC电源并联连接在回路中。
Constitute——Pinnacle电源安装采用Master－Slave结构，多个电源并联成一组，每组设置一个主电源(Master)，负责控制其余各电源(Slave)工作，控制信号采用串连方式。
Working mode——输入电源为三相交流电，经过AC到DC，DC到AC，AC到DC的三次转换
以及一系列改善输出波形的处理后，最终输出我们所需要的直流电。
真空仪器介绍
Dry Pump——是一种机械Pump，主要用于对Chamber及CryoPump抽初真空用，延长CryoPump的使用寿命。
CryoPump——是一种低温Pump，靠高压氦气来产生低温，工作时的温度可达到20K以下，使气体凝固，达到高真空。
Compressor——把He转化为气态，提供给CryoPump使用，L/UL的两个CP公用一个Compressor，其它每个CP一个。
Qulee——分析管，发生器的一体型
可直连(一体化)到分析管（sensor）。
发生器部分有简易的显示表。
镀膜设备的He检漏，支持累计测试。
全压，分压变化量的计测。
Super trap——由于Gate Sputter chamber 比较大，用于快速抽真空用。
Target Cathode 介绍
Target(靶材)——溅射过程中提供沉积粒子的载体。(gate材料为AlNd/MO，S/D为MO，ITO为氧化铟锡) Gate，S/D，靶材为一整块，ITO为三小块。
Magnetic Bar(永久磁条)——其作用是束缚电子，增大Plasma的浓度，从而加快成膜速度。
Magnetic和Shield——其作用是保证Process时，限制等离子体的区域。其中Mask有内外两层（Outer Mask和Floating Mask），之间有绝缘垫片。

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