BGA封装技术 | |||
摘要:本文简述了BGA封装产品的特点、结构以及一些BGA产品的封装工艺流程,对BGA封装中芯片和基板两种互连方法--引线键合/倒装焊键合进行了比较以及对几种常规BGA封装的成本/性能的比较,并介绍了BGA产品的可靠性。另外,还对开发我国BGA封装技术提出了建议。 关键词:BGA;结构;基板;引线键合;倒装焊键合 中图分类号:TN305.94 文献标识码 1引言 在当今信息时代,随着电子工业的迅猛发展,计算机、移动电话等产品日益普及。人们对电子产品的功能要求越来越多、对性能要求越来越强,而体积要求却越来越小、重量要求越来越轻。这就促使电子产品向多功能、高性能和小型化、轻型化方向发展。为实现这一目标,IC芯片的特征尺寸就要越来越小,复杂程度不断增加,于是,电路的I/O数就会越来越多,封装的I/O密度就会不断增加。为了适应这一发展要求,一些先进的高密度封装技术就应运而生,BGA封装技术就是其中之一。集成电路的封装发展趋势如图1所示。从图中可以看出,目前BGA封装技术在小、轻、高性能封装中占据主要地位。 BGA封装出现于90年代初期,现已发展成为一项成熟的高密度封装技术。在半导体IC的所有封装类型中,1996-2001年这5年期间,BGA封装的增长速度最快。在1999年,BGA的产量约为10亿只,在2004年预计可达36亿只。但是,到目前为止该技术仅限于高密度、高性能器件的封装,而且该技术仍朝着细节距、高I/O端数方向发展。BGA封装技术主要适用于PC芯片组、微处理器/控制器、ASIC、门阵、存储器、DSP、PDA、PLD等器件的封装。 2 BGA封装的特点 BGA(Bdll Grid Array)封装,即焊球阵列封装,它是在封装体基板的底部制作阵列焊球作为电路的I/O端与印刷线路板(PCB)互接。采用该项技术封装的器件是一种表面贴装型器件。与传统的脚形贴装器件(LeadedDe~ce如QFP、PLCC等)相比,BGA封装器件具有如下特点。 1)I/O数较多。BGA封装器件的I/O数主要由封装体的尺寸和焊球节距决定。由于BGA封装的焊料球是以阵列形式排布在封装基片下面,因而可极大地提高器件的I/O数,缩小封装体尺寸,节省组装的占位空间。通常,在引线数相同的情况下,封装体尺寸可减小30%以上。例如:CBGA-49、BGA-320(节距1.27mm)分别与PLCC-44(节距为1.27mm)和MOFP-304(节距为0.8mm)相比,封装体尺寸分别缩小了84%和47%,如图2所示。 2)提高了贴装成品率,潜在地降低了成本。传统的QFP、PLCC器件的引线脚均匀地分布在封装体的四周,其引线脚的节距为1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm。当I/O数越来越多时,其节距就必须越来越小。而当节距<0.4mm时,SMT设备的精度就难以满足要求。加之引线脚极易变形,从而导致贴装失效率增加。其BGA器件的焊料球是以阵列形式分布在基板的底部的,可排布较多的I/O数,其标准的焊球节距为1.5mm、1.27mm、1.0mm,细节距BGA(印BGA,也称为CSP-BGA,当焊料球的节距<1.0mm时,可将其归为CSP封装)的节距为0.8mm、0.65mm、0.5mm,与现有的SMT工艺设备兼容,其贴装失效率<10ppm。 3)BGA的阵列焊球与基板的接触面大、短,有利于散热。 4)BGA阵列焊球的引脚很短,缩短了信号的传输路径,减小了引线电感、电阻,因而可改善电路的性能。 5)明显地改善了I/O端的共面性,极大地减小了组装过程中因共面性差而引起的损耗。 6)BGA适用于MCM封装,能够实现MCM的高密度、高性能。 7)BGA和~BGA都比细节距的脚形封装的IC牢固可靠。 3 BGA封装的类型、结构 BGA的封装类型多种多样,其外形结构为方形或矩形。根据其焊料球的排布方式可分为周边型、交错型和全阵列型BGA,如图3所示:根据其基板的不同,主要分为三类:PBGA(PlasticballZddarray塑料焊球阵列)、CBGA(ceramicballSddarray陶瓷焊球阵列)、TBGA (tape ball grid array载带型焊球阵列)。 3.1 PBGA(塑料焊球阵列)封装 PBGA封装,它采用BT树脂/玻璃层压板作为基板,以塑料(环氧模塑混合物)作为密封材料,焊球为共晶焊料63Sn37Pb或准共晶焊料62Sn36Pb2Ag(目前已有部分制造商使用无铅焊料),焊球和封装体的连接不需要另外使用焊料。PBGA封装的结构示意图如图4。有一些PBGA封装为腔体结构,分为腔体朝上和腔体朝下两种。这种带腔体的PBGA是为了增强其散热性能,称之为热增强型BGA,简称EBGA,有的也称之为CPBGA(腔体塑料焊球阵列),其结构示意图如图5。PBGA封装的优点如下: 1)与PCB板(印刷线路板-通常为FR-4板)的热匹配性好。PBGA结构中的BT树脂/玻璃层压板的热膨胀系数(CTE)约为14ppm/℃,PCB板的约为17ppm/cC,两种材料的CTE比较接近,因而热匹配性好。 2)在回流焊过程中可利用焊球的自对准作用,即熔融焊球的表面张力来达到焊球与焊盘的对准要求。 3)成本低。 4)电性能良好。 PBGA封装的缺点是:对湿气敏感,不适用于有气密性要求和可靠性要求高的器件的封装。 3.2 CBGA(陶瓷焊球阵列)封装 在BGA封装系列中,CBGA的历史最长。它的基板是多层陶瓷,金属盖板用密封焊料焊接在基板上,用以保护芯片、引线及焊盘。焊球材料为高温共晶焊料10Sn90Pb,焊球和封装体的连接需使用低温共晶焊料63Sn37Pb。其结构示意图如图6,封装体尺寸为10-35mm,标准的焊球节距为1.5mm、1.27mm、1.0mm。 CBGA(陶瓷焊球阵列)封装的优点如下: 1)气密性好,抗湿气性能高,因而封装组件的长期可靠性高。 2)与PBGA器件相比,电绝缘特性更好。 3)与PBGA器件相比,封装密度更高。 4)散热性能优于PBGA结构。 CBGA封装的缺点是: 1)由于陶瓷基板和PCB板的热膨胀系数(CTE)相差较大(A1203陶瓷基板的CTE约为7ppm/cC,PCB板的CTE约为17ppm/笔),因此热匹配性差,焊点疲劳是其主要的失效形式。 2)与PBGA器件相比,封装成本高。 3)在封装体边缘的焊球对准难度增加。 3.3 CCGA(ceramiccolumnSddarray)陶瓷柱栅阵列 CCGA是CBGA的改进型。如图7所示。二者的区别在于:CCGA采用直径为0.5mm、高度为1.25mm~2.2mm的焊料柱替代CBGA中的0.87mm直径的焊料球,以提高其焊点的抗疲劳能力。因此柱状结构更能缓解由热失配引起的陶瓷载体和PCB板之间的剪切应力。 3.4 TBGA(载带型焊球阵列) TBGA是一种有腔体结构,TBGA封装的芯片与基板互连方式有两种:倒装焊键合和引线键合。倒装焊键合结构示意图如图8(a);芯片倒装键合在多层布线柔性载带上;用作电路I/O端的周边阵列焊料球安装在柔性载带下面;它的厚密封盖板又是散热器(热沉),同时还起到加固封装体的作用,使柔性基片下面的焊料球具有较好的共面性。腔体朝下的引线键合TBGA结构示意图如图8(b);芯片粘结在芯腔的铜热沉上;芯片焊盘与多层布线柔性载带基片焊盘用键合引线实现互连;用密封剂将电路芯片、引线、柔性载带焊盘包封(灌封或涂敷)起来。 TBGA的优点如下: 1)封装体的柔性载带和PCB板的热匹配性能较 2)在回流焊过程中可利用焊球的自对准作用, 印焊球的表面张力来达到焊球与焊盘的对准要求。 3)是最经济的BGA封装。 4)散热性能优于PBGA结构。 TBGA的缺点如下: 1)对湿气敏感。 2)不同材料的多级组合对可靠性产生不利的影响。 3.5其它的BGA封装类型 MCM-PBGA(Multiplechipmodule-PBGA),多芯片模块PBGA,它的结构如图9所示。 LBGA,微BGA,它是一种芯片尺寸封装。芯片面朝下,采用TAB键合实现芯片与封装基片焊盘互连的,LBGA的结构示意图如图10。它的封装体尺寸仅略大于芯片(芯片+0.5mm)。gBGA有3种焊球节距:0.65mm、0.75mm和0.8mm。TAB引线键合和弹性的芯片粘接是txBGA的特征。与其它的芯片尺寸封装相比,它具有更高的可靠性。 SBGA(Stackedballgridarray),叠层BGA,它的结构示意图如图11所示。 etBGA,最薄的BGA结构,封装体高度为0.5mm,接近于芯片尺寸。芯片面朝下,芯片-基板互连采用引线键合方式的et-BGA的结构示意图如图12。 CTBGA、CVBGA(ThinandVeryThinChipArrayBGA),薄型、超薄型BGA。该种BGA使用的基板是薄的核心层压板,包封采用模塑结构,封装体高度为1.2mm。 几种常规BGA封装类型的比较如表1所示。 4BGA的封装工艺流程 基板或中间层是BGA封装中非常重要的部分,除了用于互连布线以外,还可用于阻抗控制及用于电感/电阻/电容的集成。因此要求基板材料具有高的玻璃转化温度rS(约为175~230℃)、高的尺寸稳定性和低的吸潮性,具有较好的电气性能和高可靠性。金属薄膜、绝缘层和基板介质间还要具有较高的粘附性能。 4.1 引线键合PBGA的封装工艺流程 4.1.1 PBGA基板的制备 在BT树脂/玻璃芯板的两面层压极薄(12~18μm厚)的铜箔,然后进行钻孔和通孔金属化。用常规的PCB加3232艺在基板的两面制作出图形,如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。然后加上焊料掩膜并制作出图形,露出电极和焊区。为提高生产效率,一条基片上通常含有多个PBG基板。 4.1.2 封装工艺流程 圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装 芯片粘结采用充银环氧粘结剂将IC芯片粘结在基板上,然后采用金线键合实现芯片与基板的连接,接着模塑包封或液态胶灌封,以保护芯片、焊接线和焊盘。使用特殊设计的吸拾工具将熔点为183℃、直径为30mil(0.75mm)的焊料球62/36/2Sn/Pb/Ag或63/37/Sn/Pb放置在焊盘上,在传统的回流焊炉内进行回流焊接,最高加工温度不能够超过230℃。接着使用CFC无机清洗剂对基片实行离心清洗,以去除残留在封装体上的焊料和纤维颗粒,其后是打标、分离、最终检查、测试和包装入库。上述是引线键合型PBGA的封装工艺过程。 4.2 FC-CBGA的封装工艺流程 4.2.1 陶瓷基板 FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板,它的制作是相当困难的。因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多,以及基板的共面性要求较高等。它的主要过程是:先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片,再在基片上制作多层金属布线,然后进行电镀等。在CBGA的组装中,基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。要改善这一情况,除采用CCGA结构外,还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。 4.2.2 封装工艺流程 圆片凸点的制备呻圆片切割呻芯片倒装及回流焊-)底部填充呻导热脂、密封焊料的分配+封盖斗装配焊料球-)回流焊斗打标+分离呻最终检查斗测试斗包装 4.3引线键合TBGA的封装工艺流程 4.3.1 TBGA载带 TBGA的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。 在制作时,先在载带的两面进行覆铜,然后镀镍和镀金,接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。因为在这种引线键合TBGA中,封装热沉又是封装的加固体,也是管壳的芯腔基底,因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。 4.3.2 封装工艺流程 圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装 BGA封装中常用材料的特性如表2 5 BGA封装中IC芯片与基片连接方式的比较 BGA封装结构中芯片与基板的互连方式主要有两种:引线键合和倒装焊。目前BGA的I/O数主要集中在100~1000。成本、性能和可加工能力是选择使用何种方式时主要考虑因素。采用引线键合的BGA的I/O数常为50~540,采用倒装焊方式的I/O数常>540。另外,选用哪一种互连方式还取决于所使用封装体基片材料的物理特性和器件的应用条件。目前PBGA的互连常用引线键合方式,CBGA常用倒装焊方式,TBGA两种互连方式都有使用。 目前,当I/O数<600时,引线键合的成本低于倒装焊。但是,倒装焊方式更适宜大批量生产,而如果圆片的成品率得到提高,那么就有利于降低每个器件的成本。并且倒装焊更能缩小封装体的体积。 5.1 引线键合方式 引线键合方式历史悠久,具有雄厚的技术基础,它的加工灵活性、材料/基片成本占有主要的优势。其缺点是设备的焊接精度已经达到极限。 引线键合是单元化操作。每一根键合线都是单独完成的。键合过程是先将安装在基片或热沉上的IC传送到键合机上,机器的图像识别系统识别出芯片,计算和校正每一个键合点的位置,然后根据键合图用金线来键合芯片和基片上的焊盘,以实现芯片与基片的互连。它是单点、单元化操作。采用引线键合技术必须满足以下条件: 5.1.1 精密距焊接技术 在100~500的高I/O数的引线键合中,IC芯片的焊盘节距非常小,其中心距通常约为70~90μm,有的更小。目前的键合机最小已能实现35 μm的中心距焊接。 5.1.2 低弧度、长弧线技术 在BGA的键合中,受控弧线长度通常为3~8mm,其最大变化量约为2.5mm。弧线高度约为100~200μm,弧线高度的变化量<7μm,芯片与基片上外引线脚的高度差约为0.4~0.56mm,IC芯片厚度约为0.2~0.35mm。在高密度互连中,弧线弯曲、蹋丝、偏移是不允许的。另外,在基片上的引线焊盘外围通常有两条环状电源/地线,键合时要防止金线与其短路,其最小间隙必须>25 Llm,这就要求键合引线必须具有高的线性度和良好的弧形。 5.1.3 键合强度 由于芯片和基片上的焊盘面积都比较小,所以精密距焊接时使用的劈刀是瓶颈型劈刀,头部直径也较小,而小直径的劈刀头部和窄引线脚将导致基片上焊点的横截面积较小,从而会影响键合强度。 5.1.4 低温处理 塑封BGA的基片材料通常是由具有低玻璃化温度(Tg约为175℃)、高的热膨胀系数(CTE约为13ppm/℃)的聚合物树脂制成的,因此在封装过程中的芯片装片固化、焊线、模塑等都必须在较低的温度下进行。而当在低温下进行键合时,对键合强度和可靠性会产生不良影响。要解决这一问题就必须要求键合机的超声波发生器具有较高(100kHz以上)的超声频率。 因此,在制造工艺上对键合机、键合工具、键合丝都提出了挑战。 对键合机的要求:具有良好的成球控制能力,具有100kHz以上的超声频率,能在低温下实现精密距焊接,能精确地控制键合引线弧形,键合质量具有良好的重复性等。目前新一代的键合机都能满足上述要求。 对劈刀的要求:必须具有良好的几何形状,能适应高频键合,以提供足够高的键合强度;材质好,使用寿命长。 对键合丝的要求:必须具有好的中、低弧度长弧线性能,良好的韧性及抗拉强度。 5.2倒装焊方式 最近几年,倒装焊技术的应用急剧增长,它与引线键合技术相比,有3个特点: ●倒装焊技术克服了引线键合焊盘中心距极限的问题。 ●在芯片的电源/地线分布设计上给电子设计师提供了更多的便利。 ●为高频率、大功率器件提供更完善的信号。 倒装焊具有焊点牢固、信号传输路径短、电源/地分布、I/O密度高、封装体尺寸小、可靠性高等优点,其缺点是由于凸点的制备是在前工序完成的,因而成本较高。 倒装焊的凸点是在圆片上形成的,制成后再进行圆片切割,合格的芯片被吸附、浸入助焊剂中,然后放置在基片上(在芯片的移植和处理过程中,助焊剂必须有足够的粘度来粘住芯片),接着将焊料球回流以实现芯片与基片的互连。在整个加工过程中,工艺处理的是以圆片、芯片和基片方式进行的,它不是单点操作,因而处理效率较高。 采用倒装焊方式需要考虑的几个相关问题。 5.2.1 基板技术 对倒装焊而言,现在有许多基板可供选择,选择的关键因素在于材料的热膨胀系数(CTE)、介电常数、介质损耗、电阻率和导热率等。在基板与芯片(一级互连)之间或基板与PCB板(二级互连)之间的TCE失配是造成产品失效的主要原因。CTE失配产生的剪切应力将引起焊接点失效。通常封装体的信号的完整性与基片的绝缘电阻、介电常数、介质损耗有直接的关系。介电常数、介质损耗与工作频率关系极大,特别是在频率>1GHz时。当选择基板时应考虑上述因素。 对倒装焊而言,使用有机物基板非常流行,它是以高密度多层布线和微通孔基板技术为基础制造的,其特点是有着低的互连电阻和低的介电常数。它的局限性在于:①在芯片与基板之间高的CTE差会产生大的热失配;②在可靠性环境试验中,与同类型的陶瓷封装器件相比,可靠性较差,其主要原因是水汽的吸附。 现有的CBGA、CCGA封装采用的基板为氧化铝陶瓷基板,其局限性在于它的热膨胀系数与PCB板或卡的热膨胀系数相差较大,而热失配容易引起焊点疲劳。它的高介电常数、电阻率也不适用于高速、高频器件。 现已经开发出一种新的陶瓷基板--HITCE陶瓷基板,它有3个主要特点,12.2ppm/℃的CTE,低的介电常数5.4,低阻的铜互连系统。它综合了氧化铝陶瓷基板和有机物基板的最佳特性,其封装产品的可靠性和电性能得以提高。表3为陶瓷基板和有机物基板材料特性的比较。 5.2.2 凸点技术 也许倒装焊技术得以流行是由于现在有各种各样的凸点技术服务。现在常用的凸点材料为金凸点,95Pb5Sn、90Pbl0Sn焊料球(回流焊温度约350℃),有的也采用63Pb37Sn焊料球(回流焊温度约220℃焊料凸点技术的关键在于当节距缩小时,必须保持凸点尺寸的稳定性。焊料凸点尺寸的一致性及其共面性对倒装焊的合格率有极大的影响。 5.2.3 底部填充 在绝大多数的倒装焊产品中都采用了底部填充剂,其作用是缓解芯片和基板之间由CTE差所引起的剪切应力。 6常规BGA封装的成本性能比较 常规BGA封装的成本和性能比较如表4。 7BGA产品的可靠性 产品的封装可靠性主要取决于封装设计、封装材料的选择和组装工艺。塑封料湿气的吸附,界面的粘结强度,芯片、引线键合、焊料球接点处的应力是影响器件可靠性的主要因素。目前所有采用BGA封装的产品都能满足以下的可靠性指标: 8我们的建议 我国的封装技术极为落后,目前仍然停留在PDIP、PSOP、PQFP、PLCC、PGA等较为低档产品的封装上。国外的BGA封装在1997年就已经规模化生产,在国内除了合资或国外独资企业外,没有一家企事业单位能够进行批量生产,其根本原因是既没有市场需求牵引,也没有BGA封装需要的技术来支撑。对于国内BGA封装技术的开发和应用,希望国家能够予以重视和政策性倾斜。开发BGA封装技术目前需要解决的总是应有以下几项: ①需要解决BGA封装的基板制造精度问题和基板多层布线的镀通孔质量问题; ②需要解决BGA封装中的焊料球移植精度问题; ③倒装焊BGA封装中需要解决凸点的制备问题; ④需要解决BGA封装中的可靠性问题。 9结束语 封装密度、热、电性能和成本是BGA封装流行的主要原因。随着时间的推移,BGA封装会有越来越多的改进,性价比将得到进一步的提高,由于其灵活性和优异的性能,BGA封装有着广泛的前景。正因为BGA封装有如此的优越性,我们也应该开展BGA封装技术的研究,把我国的封装技术水平进一步提高,为我国电子工业作出更大的贡献。 | |||
CSP封装技术 | |||||||||||||||||||||||||||
摘要:CSP技术是最近几年才发展起来的新型集成电路封装技术。应用CSP技术封装的产品封装密度高,性能好,体积小,重量轻,与表面安装技术兼容,因此它的发展速度相当快,现已成为集成电路重要的封装技术之一。目前已开发出多种类型CSP,品种多达100多种;另外,SP产品的市场也是很大的,并且还在不断扩大。但是CSP技术、CSP产品市场是国外的或国外公司的。我们需要开发我们的CSP技术,当然,开发CSP技术难度比较大,需要的资金多,因此需要国内多个部门协作,以及国家投入较多的资金。 关键词: 芯片尺寸封装;封装技术;表面安装技术;基片 中图分类号:TN305.94 文献标识码:A 1前言 CSP(Chip Size Package),即芯片尺寸封装。它的面积(组装占用印制板的面积)与芯片尺寸相同或比芯片尺寸稍大一些,而且很薄。这种封装形式是由日本三菱公司在1994年提出来的。对于CSP,有多种定义:日本电子工业协会把CSP定义为芯片面积与封装体面积之比大于80%的封装;美国国防部元器件供应中心的J-STK-012标准把CSP定义为LSI封装产品的面积小于或等于LSI芯片面积的120%的封装;松下电子工业公司将之定义为LSI封装产品的边长与封装芯片的边长的差小于Imm的产品等。这些定义虽然有些差别,但都指出了CSP产品的主要特点:封装体尺寸小。 CSP技术是在电子产品的更新换代时提出来的,它的目的是在使用大芯片(芯片功能更多,性能更好,芯片更复杂)替代以前的小芯片时,其封装体占用印刷板的面积保持不变或更小。正是由于CSP产品的封装体小、薄,因此它的手持式移动电子设备中迅速获得了应用。在1996年8月,日本Sharp公司就开始了批量生产CSP产品;在1996年9月,日本索尼公司开始用日本TI和NEC公司提供的CSP产品组装摄像机;在1997年,美国也开始生产CSP产品。目前,世界上已有几十家公司可以提供CSP产品,各类CSP产品品种多达一百种以上。 由于CSP产品的体积小、薄,因而它改进了封装电路的高频性能,同时也改善了电路的热性能;另外,CSP产品的重量也比其它封装形式的轻得多,除了在手持式移动电子设备中应用外,在航天、航空,以及对电路的高频性能、体积、重量有特殊要求的军事方面也将获得广泛应用。 2CSP产品的特点 CSP是目前最先进的集成电路封装形式,它具有如下一些特点: ①体积小。在各种封装中,CSP是面积最小,厚度最小,因而是体积最小的封装。在输入/输出端数相同的情况下,它的面积不到0.5mm间距QFP的十分之一,是BGA(或PGA)的三分之一到十分之一。因此,在组装时它占用印制板的面积小,从而可提高印制板的组装密度,厚度薄,可用于薄形电子产品的组装; ②输入/输出端数可以很多。在相同尺寸的各类封装中,CSP的输入/输出端数可以做得更多。例如,对于40mm×40mm的封装,QFP的输入/输出端数最多为304个,BGA的可以做到600-700个,而CSP的很容易达到1000个。虽然目前的CSP还主要用于少输入/输出端数电路的封装; ③电性能好。CSP内部的芯片与封装外壳布线间的互连线的长度比QFP或BGA短得多,因而寄生参数小,信号传输延迟时间短,有利于改善电路的高频性能。 ④热性能好。CSP很薄,芯片产生的热可以很短的通道传到外界。通过空气对流或安装散热器的办法可以对芯片进行有效的散热; ⑤CSP不仅体积小,而且重量轻,它的重量是相同引线数的QFP的五分之一以下,比BGA的少得更多。这对于航空、航天,以及对重量有严格要求的产品应是极为有利的。 ⑥CSP电路,跟其它封装的电路一样,是可以进行测试、老化筛选的,因而可以淘汰掉早期失效的电路,提高了电路的可靠性;另外,CSP也可以是气密封装的,因而可保持气密封装电路的优点。 ⑦CSP产品,它的封装体输入/输出端(焊球、凸点或金属条)是在封装体的底部或表面,适用于表面安装。 3CSP的分类 目前,CSP产品已有100多种,封装类型也多,主要有如下五种: 3.1 柔性基片CSP 柔性基片CSP的IC载体基片是用柔性材料制成的,主要是塑料薄膜。在薄膜上制作有多层金属布线。采用TAB键合的柔性基片CSP产品的典型结构示意图如图1。 采用TAB键合的CSP,使用周边焊盘芯片。 3.2硬质基片CSP 硬质基片CSP的IC载体基片是用多层布线陶瓷或多层布线层压树脂板制成的。采用倒装片的陶瓷基片CSP产品结构示意图如图2;采用引线键合的树脂基片CSP产品的典型结构示意如图3。 3.3引线框架CSP 引线框架CSP,使用类似常规塑封电路的引线框架,只是它的尺寸要小些,厚度也薄,并且它的指状焊盘伸人到了芯片内部区域。引线框架CSP多采用引线键合(金丝球焊)来实现芯片焊盘与引线框架CSP焊盘的连接。它的加工过程与常规塑封电路加工过程完全一样,它是最容易形成规模生产的。引线框架CSP产品的典型结构示意图如图4。 3.4 圆片级CSP 圆片级CSP,是先在圆片上进行封装,并以圆片的形式进行测试,老化筛选,其后再将圆片分割成单一的CSP电路。 3.5叠层CSP 把两个或两个以上芯片重叠粘附在一个基片上,再封装起来而构成的CSP称为叠层CSP。在叠层CSP中,如果芯片焊盘和CSP焊盘的连接是用键合引线来实现的,下层的芯片就要比上层芯片大一些,在装片时,就可以使下层芯片的焊盘露出来,以便于进行引线键合。在叠层CSP中,也可以将引线键合技术和倒装片键合技术组合起来使用。如上层采用倒装片芯片,下层采用引线键合芯片。引线键合叠层CSP结构示意图如图5;倒装片键合叠层CSP结构示意图如图6。 4 CSP产品的封装工艺流程 目前,CSP产品的品种很多,封装类型也很多,因而具体的封装工艺也很多。不同类型的CSP产品有不同的封装工艺,一些典型的CSP产品的封装工艺流程如下: 4.1 柔性基片CSP产品的封装工艺流程 柔性基片CSP产品,它的芯片焊盘与基片焊盘问的连接方式可以是倒装片键合、TAB键合、引线键合。采用的连接方式不同,封装工艺也不同。 (1)采用倒装片键合的柔性基片CSP的封装工艺流程 圆片→二次布线(焊盘再分布) →(减薄)形成凸点→划片→倒装片键合→模塑包封→(在基片上安装焊球) →测试、筛选→激光打标 (2)采用TAB键合的柔性基片CSP产品的封装工艺流程 圆片→(在圆片上制作凸点)减薄、划片→TAB内焊点键合(把引线键合在柔性基片上) →TAB键合线切割成型→TAB外焊点键合→模塑包封→(在基片上安装焊球) →测试→筛选→激光打标 (3)采用引线键合的柔性基片CSP产品的封装工艺流程 圆片→减薄、划片→芯片键合→引线键合→模塑包封→(在基片上安装焊球) →测试、筛选→激光打标 4.2硬质基片CSP产品的封装工艺流程 硬质基片CSP产品封装工艺与柔性基片的封装工艺一样,芯片焊盘与基片焊盘之间的连接也可以是倒装片键合、TAB键合、引线键合。它的工艺流程与柔性基片CSP的完全相同,只是由于采用的基片材料不同,因此,在具体操作时会有较大的差别。 4.3 引线框架CSP产品的封装工艺流程 引线框架CSP产品的封装工艺与传统的塑封工艺完全相同,只是使用的引线框架要小一些,也要薄一些。因此,对操作就有一些特别的要求,以免造成框架变形。引线框架CSP产品的封装工艺流程如下: 圆片→减薄、划片→芯片键合→引线键合→模塑包封→电镀→切筛、引线成型→测试→筛选→激光打标 4.4 圆片级CSP产品的封装工艺流程 (1)在圆片上制作接触器的圆片级CSP的封装工艺流程; 圆片→二次布线→减薄→在圆片上制作接触器→接触器电镀→测试、筛选→划片→激光打标 (2)在圆片上制作焊球的圆片级CSP的封装工艺流程 圆片→二次布线→减薄→在圆片上制作焊球→模塑包封或表面涂敷→测试、筛选→划片→激光打标 4.5 叠层CSP产品的封装工艺流程 叠层CSP产品使用的基片一般是硬质基片。 (1)采用引线键合的叠层CSP的封装工艺流程; 圆片→减薄、划片→芯片键合→引线键合→包封→在基片上安装焊球→测试→筛选→激光打标 采用引线键合的CSP产品,下面一层的芯片尺寸最大,上面一层的最小。芯片键合时,多层芯片可以同时固化(导电胶装片),也可以分步固化;引线键合时,先键合下面一层的引线,后键合上面一层的引线。 (2)采用倒装片的叠层CSP产品的封装工艺流程array工艺详解 圆片→二次布线→减薄、制作凸点→划片→倒装键合→(下填充)包封→在基片上安装焊球→测试→筛选→激光打标 在叠层CSP中,如果是把倒装片键合和引线键合组合起来使用。在封装时,先要进行芯片键合和倒装片键合,再进行引线键合。 5开发CSP产品需要解决的一些技术问题 5.1 CSP产品的标准化问题 CSP是近几年才出现的一种集成电路的封装形式,目前已有上百种CSP产品,并且还在不断出现一些新的品种。尽管如此,CSP技术还是处于发展的初期阶段,因此还没有形成统一的标准。不同的厂家生产不同的CSP产品。一些公司在推出自己的产品时,也推出了自己的产品标准。这些标准包括:产品的尺寸(长、宽、厚度)、焊球间距、焊球数等。Sharp公司的CSP产品的标准有如表1、表2。 在我国,要开发CSP产品,也需要建立一个统一的标准,以便帮助我们自己的CSP产品的开发和应用。 5.2 CSP产品的封装技术问题 在CSP中,集成电路芯片焊盘与封装基片焊盘的连接方式主要有三种:倒装片键合、TAB键合、引线键合,因此,开发CSP产品需要开发的封装技术就可以分为三类。 5.2.1 开发倒装片键合CSP产品需要开发的封装技术 (a)二次布线技术 二次布线,就是把IC的周边焊盘再分布成间距为200微米左右的阵列焊盘。在对芯片焊盘进行再分布时,同时也形成了再分布焊盘的电镀通道。 (b)凸点形成(电镀金凸点或焊料凸点)技术。在再分布的芯片焊盘上形成凸点。 (c)倒装片键合技术。 把带有凸点的芯片面朝下键合在基片上。 (d)包封技术。 包封时,由于包封的材料厚度薄,空洞、裂纹的存在会更严重的影响电路的可靠性。因此,在包封时要减少甚至避免孔洞、裂纹的出现。另外,还要提高材料的抗水汽渗透能力。因此,在CSP产品的包封中,不仅要提高包封技术,还要使用性能更好的包封材料。 (e)焊球安装技术。 在基片下面安装焊球。 (f)在开发叠层倒装片CSP产品中,还需要开发多层倒装片键合技术。 5.2.2 开发引线键合CSP产品需要开发的封装技术 目前,有不少的CSP产品(40%左右)是使用引线键合技术来实现芯片焊盘和封装外壳引出焊盘间的连接的。开发引线键合CSP产品需要开发如下一些封装技术。 (a)短引线键合技术 在基片封装CSP中,封装基片比芯片尺寸稍大(大1mm左右);在引线框架CSP中,引线框架的键合焊盘伸到了芯片上面,在键合时,键合线都很短,而且弧线很低。而在键合引线很短时,键合引线的弧线控制很困难。 (b)包封技术 在引线键合CSP的包封中,不仅要解决倒装片CSP包封中的有关技术问题,还要解决包封的冲丝问题。 (c)焊球安装技术。 (d)在开发叠层引线键合CSP的产品中,还需要开发多层引线的键合技术。 5.2.3 开发TAB键合CSP产品需要开发的封装技术 (a)TAB键合技术。 (b)包封技术。 (c)焊球安装技术。 5.2.4 开发圆片级CSP产品需要开发的新技术 (a)二次布线技术。 (b)焊球制作技术。 (c)包封技术。 (d)圆片级测试和筛选技术。 (e)圆片划片技术。 5.3与CSP产品相关的材料问题 要开发CSP产品,还必须解决与CSP封装相关的材料问题。 5.3.1 CSP产品的封装基片 在CSP产品的封装中,需要使用高密度多层布线的柔性基片、层压树脂基片、陶瓷基片。这些基片的制造难度相当大。要生产这类基片,需要开发相关的技术。同时,为了保证CSP产品的长期可靠性,在选择材料或开发新材料时,还要考虑到这些材料的热膨胀系数应与硅片的相匹配。 5.3.2 包封材料 由于CSP产品的尺寸小,在产品中,包封材料在各处的厚度都小。为了避免在恶劣环境下失效,包封材料的气密性或与被包封的各种材料的粘附性必须良好;有好的抗潮气穿透能力,与硅片的热膨胀匹配;以及一些其它的相关性能。 5.4 CSP的价格问题 CSP产品的价格也是一个重要的问题。目前,CSP产品的价格都比较贵,是一般产品的一倍以上。为了降低价格,需要开发一些新工艺、新技术、新材料,以降低制造成本,从而降低CSP的价格。 5.5组装CSP产品的印制板问题 组装CSP产品的印制板,其制造难度是相当大的,它不仅需要技术,而且需要经验,还要使用新材料。目前,世界上只有为数不多的几个厂家可以制造这类印制板。主要困难在于:布线的线条窄,间距窄,还要制作一定数量的通孔,表面的平整性要求也较高。在选择材料时还要考虑到热膨胀性能。 5.6 CSP产品的市场问题 目前,国内的CSP市场完全被外国公司和外资企业控制,国内企业产品要进入这个市场也是相当困难的。要进入CSP市场,首先是要开发出适销对路的产品,其次是要提高和保持产品的质量,还必须要及时供货,并且价格要便宜。 6关于开发我国CSP技术的几点建议 CSP技术是为产品的更新换代提出来的,该技术一开发成功,就很快用于了产品的生产。经过短短几年,它就成为了集成电路重要的封装技术之一。而且,该技术还在迅速发展。近几年,CSP产品的产量增长很快,预计在今后的几年,还将高速增长。在2002年,CSP产品的产量已达到50多亿只,接近BGA的产量,年产值已达20多亿美圆。近几年CSP产品的统计和近两年CSP产品预测情况如表3: 从表中可以看出,CSP产品的增长速度是很快的,并且,它是以取代其它集成电路封装形式占领市场的。目前的PC市场容量达一千亿只,CSP产品仅占有IC市场的二十分之一。随着CSP技术的进一步开发,它会越来越多的取代其它的产品而占领更多的市场份额。 在我国,CSP的市场(手机、掌上电脑、薄型电脑等等)很大。但是,这个市场目前完全被国外公司和外资公司占据。随着CSP产品应用范围的进一步扩大,市场还将增大。如果我们自己有CSP技术,我们就可以在国内的市场上占有一席之地。为了国家,为了民族,我们应该开展我们的CSP技术。 但是,开发CSP技术,困难很多,它涉及的范围宽、技术难度大。因此,要开发CSP技术,需要有一批单位协同动作,还需要有足够的资金。为此,我们有如下几点建议: 6.1建立CSP技术推进协会 CSP技术是一项系统技术,它涉及封装材料、封装工艺、应用材料、应用工艺等,为了完成CSP技术的开发,需要材料研究部门、材料制造部门、封装研究部门、CSP产品应用部门、印制板制造部门等相关的各个部门协同努力。为了协调这些部门的开发研究工作,需要有一定的组织形式。建立CSP技术堆进协会(或其它的组织形式)应是一种可行的办法。推进协会主要是领导、推动、协调、检查各部门的研究工作,以期加快CSP的开发研究和推广应用,使我国CSP产品的生产质量和能力得到迅速提高,从而可生产出高质量、高可靠性的CSP产品,满足国内市场及军事方面的应用。 6.2 建立CSP技术重点研究室 为了开发CSP技术,可建立一定数量的CSP技术研究室;模塑包封材料研究室、柔性基片材料研究室、高密度树脂基片研究室、高密度多层布线陶瓷基片研究室、CSP产品封装研究室、高密度印制板研究室、CSP产品组装研究室、CSP标准化研究室、CSP产品可靠性研究室等。而且,一种类型的研究室应有两个以上,以使研究室之间互相竞争和互相促进,从而可保证和加快CSP技术的开发和应用。 6.3 需要国家投入足够的资金 CSP技术,是一项有一定难度的高新技术。有一些技术是我们现在就有的,但需要提高;有一些技术是我们现在还没有的,需要开发。并且,要实现这些技术,都需要购买先进的设备,而这些设备都比较贵。另外,在进行技术开发时,需要投入一定的人力和物力;再进行试验时,要消耗材料、能源,一部分试验还要在另外的单位进行。而且,在技术开发时,还是冒失败的风险。在开发CSP技术中,需要的所有资金由开发单位承担,目前还不现实,因此需要国家投入资金,以扶持CSP技术的开发。 6.4选择合适的CSP代表研究品种 由于CSP的封装种类多,封装工艺也多,要开发各种封装工艺现在还不可能,也没有必要。因此,要选择好研究的CSP的代表品种。在一种或几种工艺开发完成后,再开发另外一些封装工艺。 7结束语 我国的集成电路封装,从上世纪60年代末期到现在,经历了金属圆管壳→扁平陶瓷管壳→双列陶瓷管壳、双列塑封→陶瓷QFP管壳、塑料QFP→陶瓷、塑料LCC→陶瓷PGA管壳的封装,目前正在进入BGA、μBGA、CSP的封装阶段。从集成电路的金属圆管壳封装技术的开发和应用开始,我国的封装技术人员就付出了辛勤的劳动,才使我国的封装技术达到了现在的水平。但是封装技术的进步,除了封装技术人员的努力外,还离不开各级领导的关心和支持,也离不开国家的大力投资。要开发我国的CSP封装技术,也需要各级领导的关心和支持,更需要国家在经济方面的大力支持。
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