专利名称：具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：陈伟钿，张永杰，周永昌，李浩南
申请号：CN201910800848.5
申请日：20190828
公开号：CN112447820A
公开日：
20210305
专利内容由知识产权出版社提供渐变构成图片黑白简单
摘要：本发明公开具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法。芯片终端结构围绕器件区设置。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，JTE区和多个环区具有第二导电类型并且从第一面朝向第二面的方向延伸。沿器件区朝向芯片终端结构的方向，多个环区中每个环区的结深逐渐减小。本发明还公开用于制造具有渐变结深的芯片终端结构的方法。根据本发明的芯片终端结构具有更低的电场峰值和更均匀的电场分布，能提高半导体器件的反向击穿电压。
申请人：飞锃半导体(上海)有限公司
地址：201302 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
国籍：CN
代理机构：深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人：王媛
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