STM32实现内部Flash的读写（HAL库版）
Flash 中⽂名字叫闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（断电数据不丢失）的存储器。可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程，在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。⼀个Nand Flash由多个块(Block)组成，每个块⾥⾯⼜包含很多页(page)。每个页对应⼀个空闲区域/冗余区域(spare area)，这个区域不是⽤来存储数据的，⽤于放置数据的校验值检测和纠错的。块，是Nand Flash的擦除操作的基本/最⼩单位。页，是Nand Flash的写⼊操作的基本/最⼩的单位。
⾸先简要写⼀下FLASH的读写流程：
对FLASH写⼊数据
解锁FLASH
擦除FLASH
写⼊数据到FLASH
锁住FLASH
FLASH读取数据（直接读取相应的FLASH地址即可）
操作MCU⾥的Flash，还有⼏个注意事项：
1、往Flash写⼊数据的时候，要先对要写⼊的页进⾏擦除，如果要写的页⾥有数据，要先读出来在缓存区，再把页擦除，再写⼊数据；在擦除页之后，只要这次你写的数据⼤⼩不够⼀页，可以连续写⼊。
2、要计算好程序的内存，因为你的程序也是保存在MCU的Flash⾥的，如果你操作到保存着程序的内存，程序就会死掉，⾄于程序内存怎么看，你可以⽣成bin⽂件，bin⽂件的⼤⼩就是你程序所占内存的⼤⼩了，⽣成bin⽂件可以参考博客：；程序内存基本都是从Flash内存⼀开始存起的，这⾥以STM32Fo72c8t6举例，如下图。
看图可以看出，这个芯⽚的Flash内存范围是0x0800 0000 ~ 0x0802 0000 ，假设我要烧录进去的bin⽂件为10K，那我们操作Flash的时候，地址就要从0x0800 0000 + (0x400*11) 开始，避开程序的存储位置，Flash地址偏移1位就是1个字节。
3、要注意MCU⼀页的⼤⼩，⼀些MCU⼀页是1KB，⼀些MCU⼀页是2KB
下⾯举个例⼦写⼊数据0x0001到Flash中uint16_t my_add = 0x0001;
uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
HAL_FLASH_Unlock();//解锁Flash
My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执⾏页⾯只做擦除操作
My_Flash.PageAddress = Robot_Num_Flash_Add; //声明要擦除的地址
My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最⼤页数-初始页的值)之间的值
uint32_t PageError = 0; //设置PageError，如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址printf怎么读的
HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError); //调⽤擦除函数擦除
uint16_t Write_Flash_Data = my_add;
//对Flash进⾏烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，⾃⾏翻查HAL库的定义即可
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, Robot_Num_Flash_Add, Write_Flash_Data);
HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
写完之后，接着就到读了，Flash写有次数限制，写的次数在1W次还是10W次（忘了）就不可写⼊了，⽽读是没有次数限制的，读多少次都可以，下⾯就把写⼊到Flash⾥的数据0x0001读出来
uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;
ID_Num = *(__IO uint16_t*)( Robot_Num_Flash_Add ); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值，其值为16位数据,⼀次读取两个字节，*(__IO uint32_t *)就⼀次读4个字节 printf("ID_num:0x%x\r\n", ID_Num);
经过上⾯的程序就可以实现 STM32 中 Flash 数据的读写了，具体怎么读写，每个案⼦不同，各位就可以根据需求去修改，只要注意好注意
事项即可，代码已经实测可⽤。
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