1．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
2．晶体管可以把小电流放大成大电流。（对）
3．在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（对）
4．在P型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子。（错）
5．晶体管可以把小电压放大成大电压。（错）
6．在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（错）
7．在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。（对）
8．二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）
9.半导体随温度的升高,电阻会增大。（错）
10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。（对）
11.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（错）
12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（错）
13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。（错）
14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（对）
15.发光二极管可以接受可见光线。（错）
16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（错）
17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。（错）
18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。（错）
19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。（错）
20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。（对）
21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。    （错）
22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（对）
23-.PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。    （错）
24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。    （错）
25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。    （对）
26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。    （错）
27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I㎝时，该管必被击穿。    （错）
28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。    （错）
29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。    （错）
30．晶体管三极管放大条件是（ B ）。
A．发射结要正向偏置      B．发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 
C．集电结要反向偏置        D．发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
31．P型半导体是在本征半导体中加入微量的（  A  ）元素构成的。
A．三价    B．四价    C．五价    D．六价
32．PN结加正向电压时，其正向电流是（  A  ）。
A．多子扩散而成          B．少子扩散而成
C．少子漂移而成          D．多子漂移而成
33.稳压二极管的正常工作状态是（  C  ）。
A．导通状态      B．截止状态      C．反向击穿状态      D．任意状态
34.．用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ B ）。
A．PNP管，CBE    B．NPN管，ECB    C．NPN管，CBE    D．PNP管，EBC
35．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝
3.3V，则该管工作在（ B ）。
A．放大区    B．饱和区    C．截止区    D．击穿区
36．稳压管是利用其伏安的（ B ）区特性进行稳压的。
A．反向        B．反向击穿      C．正向起始          D．正向导通
37．半导体三极管是一种（  C ）。
A．电压控制电压的器件            B．电压控制电流的器件
C．电流控制电流的器件            D．电流控制电压的器件
38．某工作在放大状态的三极管，当基极电流IB由60ΜA降低到40ΜA时，集电极电流IC由2.3MA降低到1.5MA，则此三极管的动态电流放大系数Β为（  C  ）。
A．37.5                B．38.3
C．40               D．57.5
39．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为（  A ）。
A．UBE>0，UBC<0 
B．UBE>0，UBC>0
C UBE<0，UBC<0                       
D．UBE<0，UBC>0
40.在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压Ucc时，则该管工作状态为(    B )。
A．饱和            B．截止        C.放大        D．不能确定
41.放大电路中正常工作的三极管各极对公共端的电位分别为：①0.2V.②-0.5V.③6V，则各极的名称为（ C ）。
A．①B②C③E      B．①E②C③B  C．①B②E③C  D．①C②B③E
42.一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（ B  ）。
A．>0,<0        B．>0,>0
C．<0,<0        D．<0,<0
43.若用万用表测二极管的正.反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C  )。
A.正.反向电阻相等                B. 正向电阻大 ，反向电阻小
C.反向电阻比正向电阻大很多倍      D.正.反向电阻都等于无穷大
44.电路如图所示， D1，D2 均为理想二极管， 设 U1 =10 V，Ui  = 40sinΩtV,  则出电压 UO 应为 (  D      )。
A.  最大值为 40V，最小值为 0V
B.  最大值为 40V，最小值为 +10V
C.  最大值为 10V，最小值为 －40V
D.  最大值为 10V，最小值为 0V
52.晶体管三极管放大条件是（ B ）。
A．发射结要正向偏置    B．发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 
vb编程基础知识题库
C．集电结要反向偏    D．发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
53.一般要求放大电路的（ A ）。
A．输入电阻大，输出电阻小      B．输入电阻小，输出电阻大
C．输入电阻小，输出电阻小      D．输入电阻大，输出电阻大
54.放大器的电压放大倍数是在 （  B  ）时增大。
A．负载电阻减小              B．负载电阻增大
C．负载电阻不变              D．电源电压升高
55.PN结加正向电压时，其正向电流是（ A ）。
A．多子扩散而成          B．少子扩散而成
C．少子漂移而成          D．多子漂移而成
56.稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A．导通状态      B．截止状态      C．反向击穿状态      D．任意状态
58.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A  ）元素构成的。
A．三价    B．四价    C．五价    D．六价
60.ICEO是指（      B   ）。
A.集电结反向电流        B.集电极，发射极穿透电流
C.集电极最大允许电流    D.集电极，基极穿透电流
61.稳压二极管的正常工作状态是（  C  ）。   
A.导通状态    B.截止状态    C.反向击穿状态    D.任意状态
62.PN结两端加正向电压时，其外部电阻表现为（  A  ）。   
A.较小  B.较大  C.无法确定  D.不断变化   
63.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（  A  ）。
A.放大区  B.饱和区  C.截止区  D.反向击穿区   
64.对于PN结的导通电压，锗管比硅管（  B  ）。   
A.大              B.小
C.大小一样        D.无法确定
65.若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（  C  ）

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