版图中注入区和扩散区有啥区别？(转)
注：有源区：一般用AA或者OD表示，定义为：Definition of diffusion area
        注入区：有N+注入区和P+注入区，一般分别用NP和PP表示，定义为：N+(or P+) implantation definition
版图中的diffusion区域对应于mask中的active层。在标准cmos工艺中，是先形成active区域，然后gate oxide,gate poly,n/p implant(n和p的先后顺序不记得了)。implant是在active之后。由于有poly的自对准，再加上 implant区域比对应的active要稍大一点。
diff区就是离子注入时掩模板开的口
这个口可以看到四周有场氧，中间有栅氧，还有S/D有源区

          ion implant
  | ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ |
  |场氧        Gate        场氧 |
-------    有源 ---- 有源 -------
        |________________|
注入在画版图时基本上有两种风格：
      1 n 和 p 的diff 层，implant 层都要画，smic,tsmc好像就是这样子，
      2 只画 active 层和n or p implant层，umc,csmc好像就是这样子，缺的implant 层在制作mask时可以通过运算得到。
总结,diffusion对应于工艺时的 active 区域。版图时layout rule要求怎么画就怎么画。
问：n井工艺中，画pmos管时要画有源区和p注入区，但是器件原理上来讲，只有有源区就行了，而有源区其实就是p注入形成的，版图中为什么两者都有呢？不是同义重复吗？这样做的目的是什么？谢谢！
答：工艺中，首先是形成有源区，与有源区相对应的概念是场区。场区覆盖场氧以保证寄生
mos管的始终关断。而有源区需要生长栅氧，形成相应的栅极。再后面才是区别出p注入区和n注入区。
至于画版图时有两种方法标示p注入区和n注入区。
1。有源区＋p注入区（你说的这种）
2。p有源区＋注入区
问：有源区也是注入形成的。一个意思，为什么重复表示两次呢？并且和电源/地连接时也要先画个有源，再画注入。(注：有源区应该是通过扩散形成的)
答：有源区是表示做器件的区域，特点在于有源区不会被场氧覆盖。这个问题你了解下MOS管在工艺上怎么形成的就清楚了。工艺上，你说注入区是刚好与有源区轮廓相符好还是要比有源区大好。还有建议下你去看下drc，lvs文件中的算法，在提数据时两者并不能完全等同。
总结,diffusion对应于工艺时的 active 区域。版图时layout rule要求怎么画就怎么画。

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