第五章 非平衡载流子
注入第五章 Part 1 5.1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级 5.2 复合理论 5.3 陷阱效应 5.4 非平衡载流子的扩散运动 5.5 5 5 爱因斯坦关系 系 5.6 5 6 连续性方程
5.1 非平衡载流子的注入、 5 1 非平衡载流子的注入 寿命和准费米能级
一、非平衡载流子的产生
1、热平衡态和热平衡载流子 1 热平衡态和热平衡载流子
热平衡态： 热平衡态 没有外界作用 半导体材料有统 的温度 和确定的载 没有外界作用，半导体材料有统一的温度，和确定的载 流子浓度。 热平衡时，电子和空穴的产生率等于复合率。 在非简并情况下： 在非简并情况下
⎛ Eg n0 p0 = Nc Nv exp ⎜ − ⎝ k0T
⎞ 2 ⎟ = ni ⎠
该式是非简并半导体处于热平衡状态的判据式
一、非平衡载流子的产生
2、非平衡态和非平衡载流子 2 非平衡态和非平衡载流子
若对半导体材料施加外界作用，其载流子浓度对热平衡态下的载流 子浓度发生了偏离，这时材料所处的状态称为非平衡状态。
n0
光照
Δn
非平衡 电子
p0
Δp
非平衡 空穴
非平衡态半导体中电子浓度n= n0 + Δn ，空穴浓度p= p0 + Δp 。

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