开关电源设计步骤
步骤1 确定开关电源的基本参数
① 交流输入电压最小值u min ② 交流输入电压最大值u max  ③ 电网频率F l  开关频率f ④ 输出电压V O （V ）：已知
⑤ 输出功率P O （W ）
：已知 ⑥ 电源效率η：一般取80％
⑦ 损耗分配系数Z ：Z 表示次级损耗与总损耗的比值，Z=0表示全部损耗发生在初级，
Z=1表示发生在次级。一般取Z=0.5
步骤2 根据输出要求，选择反馈电路的类型以及反馈电压V FB
步骤3 根据u ，P O 值确定输入滤波电容C IN 、直流输入电压最小值V Imin
① 令整流桥的响应时间tc=3ms ② 根据u ，查处C IN 值 ③ 得到V imin
步骤4 根据u ，确定V OR 、V B
① 根据u 由表查出V OR 、V B 值 ② 由V B 值来选择TVS
步骤5 根据Vimin 和V OR 来确定最大占空比Dmax
V OR
Dmax=                    ×100％
V OR +V Imin －V DS(ON)
① 设定MOSFET 的导通电压V DS(ON)
② 应在u=umin 时确定Dmax 值，Dmax 随u 升高而减小
步骤6 确定初级纹波电流I R 与初级峰值电流I P 的比值K RP ，K RP =I R /I P
K RP
u(V)
最小值(连续模式) 最大值(不连续模式)
固定输入:100/115 0.4 1 通用输入:85~265 0.4 1 固定输入:230±35
0.6
1
确定C IN ,V Imin 值 u(V) P O (W) 比例系数(μF/W) C IN (μF) V Imin (V) 固定输入:100/115 已知 2~3 (2~3)×P O  ≥90 通用输入:85~265 已知 2~3 (2~3)×P O  ≥90 固定输入:230±35 已知 1 P O  ≥240 u(V) 初级感应电压V OR (V)
钳位二极管
反向击穿电压V B (V) 固定输入:100/115 60 90 通用输入:85~265 135 200 固定输入:230±35 135 200
步骤7确定初级波形的参数
①输入电流的平均值I A VG
P O
I A VG=
ηV Imin
②初级峰值电流I P
I A VG
I P=
(1－0.5K RP)×Dmax
③初级脉动电流I R
④初级有效值电流I RMS
I RMS=I P√D max×(K RP2/3－K RP+1)
步骤8根据电子数据表和所需I P值选择TOPSwitch芯片
①考虑电流热效应会使25℃下定义的极限电流降低10％，所选芯片的极限电流最小值
I LIMIT(min)应满足：0.9 I LIMIT(min)≥I P
步骤9和10计算芯片结温Tj
①按下式结算：
Tj＝[I2RMS×R DS(ON)+1/2×C XT×(V Imax+V OR) 2 f ]×Rθ＋25℃
式中C XT是漏极电路结点的等效电容，即高频变压器初级绕组分布电容
②如果Tj＞100℃，应选功率较大的芯片
步骤11验算I P IP=0.9I LIMIT(min)
① 输入新的K RP且从最小值开始迭代，直到K RP=1
② 检查I P值是否符合要求
③ 迭代K RP=1或I P=0.9I LIMIT(min)
步骤12计算高频变压器初级电感量L P，L P单位为μH
106P O Z(1－η)+ η
L P= ×
I2P×K RP(1－K RP/2)f η
步骤13选择变压器所使用的磁芯和骨架，查出以下参数：
① 磁芯有效横截面积Sj（cm2），即有效磁通面积。
② 磁芯的有效磁路长度l（cm）
③ 磁芯在不留间隙时与匝数相关的等效电感AL(μH/匝2)
④ 骨架宽带b（mm）
步骤14为初级层数d和次级绕组匝数Ns赋值
① 开始时取d＝2（在整个迭代中使1≤d≤2）
② 取Ns=1(100V/115V交流输入)，或Ns=0.6(220V或宽范围交流输入)
③ Ns=0.6×(V O+V F1)
④ 在使用公式计算时可能需要迭代
步骤15计算初级绕组匝数Np和反馈绕组匝数N F
① 设定输出整流管正向压降V F1
② 设定反馈电路整流管正向压降V F2
③ 计算N P
V OR
N P=N S×
V O+V F1
④ 计算N F
V FB+V F2
N F=N S×
V O+V F1
步骤16~步骤22设定最大磁通密度B M、初级绕组电流密度J、磁芯的气隙宽度δ，进行迭代。
① 设置安全边距M，在230V交流输入或宽范围输入时M=3mm，在110V/115V交流输
入时M=1.5mm。使用三重绝缘线时M=0
② 最大磁通密度B M=0.2～0.3T
100I P L P
B M=
N P S J
若B M＞0.3T，需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数N P，使B M在0.2~0.3T范围之内。如B M＜0.2T，就应选择尺寸较小的磁芯或减小N P值。
③ 磁芯气隙宽度δ≥0.051mm
δ＝40πS J(N P2/1000L P－1/1000A L)
要求δ≥0.051mm，若小于此值，需增大磁芯尺寸或增加N P值。
④ 初级绕组的电流密度J=(4~10)A/mm2
1980
J=
1.27πD2PM×（1000 /25.4）2
4I RMS
若J＞10A/mm2，应选较粗的导线并配以较大尺寸的磁芯和骨架，使J＜10A/mm2。vimax
若J＜4A/mm2，宜选较细的导线和较小的磁芯骨架，使J＞4A/mm2；也可适当增加NP 的匝数。
⑤ 确定初级绕组最小直径（裸线）D Pm(mm)
⑥ 确定初级绕组最大外径（带绝缘层）D PM(mm)
⑦根据初级层数d、骨架宽带b和安全边距M计算有效骨架宽带be（mm）
be=d(b－2M)
然后计算初级导线外径（带绝缘层）D PM：D PM＝be/NP
步骤23确定次级参数I SP、I SRMS、I RI、D SM、D Sm
① 次级峰值电流I SP(A)
I SP=I P×(N P/N S)
②次级有效值电流I SRMS(A)
I SRMS=I SP×√（1－D max）×（K2RP/3－K RP+1）
③输出滤波电容上的纹波电流I RI(A)
I RI=√I2SRMS－I2O波
⑤ 次级导线最小直径（裸线）D Sm(mm)
D Sm=1.13√I SRMS/J
⑥ 次级导线最大外径（带绝缘层）D SM(mm)
b－2M
D SM=
N S
步骤24确定V(BR)S、V(BR)FB
① 次级整流管最大反向峰值电压V(BR)S
V(BR)S＝V O+V Imax×N S/N P
② 反馈级整流管最大反向峰值电压V(BR)FB
V(BR)FB＝VFB+ V Imax×N F/N P
步骤25选择钳位二极管和阻塞二极管
步骤26选择输出整流管
步骤27利用步骤23得到的I RI，选择输出滤波电容C OUT
① 滤波电容C OUT在105℃、100KHZ时的纹波电流应≥I RI
② 要选择等效串连电阻r0很低的电解电容
③ 为减少大电流输出时的纹波电流I RI，可将几只滤波电容并联使用，以降低电容的r0
值和等效电感L0
④ C OUT的容量与最大输出电流I OM有关
步骤28～29当输出端的纹波电压超过规定值时，应再增加一级LC滤波器
① 滤波电感L=2.2~4.7μH。当I OM＜1A时可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠；大电
流时应选用磁环绕制成的扼流圈。
② 为减小L上的压降，宜选较大的滤波电感或增大线径。通常L=3.3μH
③ 滤波电容C取120μF /35V，要求r0很小
步骤30选择反馈电路中的整流管
步骤31选择反馈滤波电容
反馈滤波电容应取0.1μF /50V陶瓷电容器
步骤32选择控制端电容及串连电阻
控制端电容一般取47μF /10V，采用普通电解电容即可。与之相串连的电阻可选
6.2Ω、1/4W，在不连续模式下可省掉此电阻。
步骤33选定反馈电路
步骤34选择输入整流桥
①整流桥的反向击穿电压V BR≥1.25√2 u max
③ 设输入有效值电流为I RMS，整流桥额定有效值电流为I BR，使I BR≥2I RMS。计算I RMS
公式如下：
P O
I RMS=
ηu min cosθ
cosθ为开关电源功率因数，一般为0.5～0.7，可取cosθ＝0.5
步骤35 设计完毕
在所有的相关参数中，只有3个参数需要在设计过程中进行检查并核对是否在允许的范围之内。它们是最大磁通密度BM（要求BM=0.2T~0.3T）、磁芯的气隙宽度δ（要求δ≥0.051mm）、初级电流密度J（规定J=4～10A/mm2）。这3个参数在设计的每一步都要检查，确保其在允许的范围之内。

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