1、单项选择题  半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻
B.阻抗
C.结构参数
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
2、填空题  热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
3、单项选择题  反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
4、单项选择题  器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
5、填空题  钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。 如何制作二维码
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
6、单项选择题  pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
7、单项选择题  溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子
B.中性粒子
C.带能离子
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
8、单项选择题  金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金属
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
9、判断题  没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
10、填空题  气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
11、单项选择题  常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂
B.热固性或橡胶型胶粘剂
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
12、填空题  外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
13、填空题  芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库
14、问答题  什么叫晶体缺陷？
本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库

版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系QQ:729038198，我们将在24小时内删除。