HY5DU56822BT-D43这串编号意义：
·“HY”是现代内存。
·“5D”是内存芯片类型为DDR。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。
字符串长度和占用内存字节
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。
·“2”指内存的bank(储蓄位)。
·“2”代表接口类型为SSTL_2。
·“B”是内核代号为第3代。
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。
·
封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。
了半天，算是到了hy57v561620ct-h 的相关资料。
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；
65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；
256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、
L  DR200、H  DR266B、 K  DR266A 现代内SDRAM 3.3V工作电压256M 8K刷新16bit 位宽4bank133Mhz  cl＝3 
单面应该是128M

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