原子层沉积镀膜
    原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称ALD）是一种重要的薄膜制备技术，它能够在纳米尺度精确地控制物质的沉积，是一种独特的化学气相沉积技术。原子层沉积技术是在晶体硅制造过程中作为薄膜制备的一种核心技术，同时在许多新兴领域得到广泛应用，如薄膜太阳能电池、LED、MEMS、柔性电子学、量子点等领域。
    原子层沉积技术通过周期性的化学反应，将需要沉积的材料原子一层层地加到衬底表面上，并在每层反应结束时对副反应产生的副产物进行清除。其操作要点是：精确控制表面反应物的吸附量，在特定的反应条件下每个反应周期中依次杂交表面长度为单个分子的反应物种类，以形成规定厚度和均匀性的沉积膜。该方法具有下列优点：自限制生长机制使 ALD 具有单原子层精度的沉积控制，完成膜厚精确控制，材料成分准确控制，均匀性好，且能控制形状的灵活性等优点。
    ALD法有许多种纳米膜的制备方法，每种方法中的正确步骤都非常显著。加上使用分界面技术，实现原子层沉积技术广泛应用市场。ALD工厂，其中的站立原子层沉积器可以实现对高比表面积物质大量的原子层沉积，从而减少成本，提高物质的质量水平。
deposition
    总之，原子层沉积镀膜具有精确控制膜厚，控制材料组成和均匀表面的优点，可以产生更优质的功能性薄膜，被广泛地应用于微电子、光电、生物医学、新能源等领域。

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