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掺杂

python的int方法实现数据类型转换

2024-09-26 11:32:30

python的int⽅法实现数据类型转换int⽅法默认以⼗进制来实现数据类型的转换:举例:1  str1="123"#给定的内容最好是纯数字,当然也可以是数字再掺杂点别的,最好别掺杂,因为会报错23  print(type(str1),str)45  v=int(str1)67  print(type(v),v)返回的结果为:<class 'str'&...

尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用

2024-06-04 23:43:33

尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用作者:周庆刚,应用材料中国公司   2008-06-11   点击:1332  栅极和沟道的尺寸缩小,受限于源/漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用,短沟道效应(SCE)依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应:影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特性的漏极诱发势垒降...

集成电路工艺复习资料要点

2024-06-04 23:35:16

1. 特征尺寸( Critical Dimension,CD)的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸,是衡量工艺难度的标志,代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中,特征尺寸通常指MOS管的沟道长度,也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中,特征尺寸通常指接触孔的尺寸。2. 集成电路制造步骤:①Wafer preparation(硅片准备)②Wafer fabrication (硅片制造)③Wafer...

氧化镓薄膜掺杂的理论及实验研究

2024-06-04 23:24:21

摘要摘要Ga2O3是一种很重要的宽禁带半导体材料,它有很好的热稳定性,且击穿电压高,电子漂移速度大。因此,Ga2O3成功地被应用于MESFET,MOSFET,SBD等功率器件中。另外,在紫外光电器件,半导体激光器和太阳能电池等方面,Ga2O3也是一种很有应用前景的材料。为了实现高灵敏度且波长可调的光电探测器,且发挥Ga2O3的宽禁带特性,研究者们通过掺铝成功提高了Ga2O3薄膜的禁带宽度。本征缺陷...

半导体工艺仿真示例:离子注入

2024-06-04 23:08:51

在前面的半导体系列话题里,曾经讨论过一个重要的工艺——离子注入工艺,通过这道工序,半导体材料的电导率可以按照人们的需要来进行调节——这种调节至少包含三方面:1.调节导电类型,电子导电or空穴导电,前者通常可以掺杂V族元素(比如磷)获得,后者可以掺杂III族元素(比如硼)获得;2.调节电导率大小,通过控制掺杂元素的量,半导体材料的电导率可以在几个数量级的范围内变动;3.调节电导率的空间分布,也就是控...

半导体掺杂技术

2024-06-04 23:07:02

半导体掺杂技术半导体的发展:半导体从出现到发展到现在的阶段,经过了六⼗⼏的时间。第⼀个放⼤器产⽣于1938年,是由波欧(Robert Pohl)与赫希(Rudo if Hilsch)所做的,使⽤的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极管的固态三端⼦元件的实⽤性。⼆次⼤战后,美国的贝尔实验室(BellLab),成⽴了固态物理的研究部门。1947年11⽉17⽇,巴丁与布莱登(W alter Brattain19...

半导体工艺之离子注入(精)

2024-06-04 22:56:40

半导体离子注入工艺 09电科A柯鹏程 0915221019离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1eV到1MeV之间,注入深度平均可达10nm~10um。相对扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地...

氮掺杂碳材料的制备及其化学活性位点研究

2024-05-16 22:17:54

doi:10.3969/j.issn.1004-275X.2019.07.053氮掺杂碳材料的制备及其化学活性位点研究张植娟(云南省建筑材料产品质量检验研究院,云南昆明650106)摘要:为了出比较优异的非铂电极材料,并分析得出其最佳活性位点,分别从氮掺杂碳和碳载过渡金属氮材料催化剂在阴极催化的两个方向进行了探究。现如今通过X射线光电子能谱分析(XPS)可以检测出吡啶型氮、吡咯型氮和石墨型氮三种...

Ni掺杂WO_x薄膜的电致变性能

2024-04-18 11:38:07

第26卷 第2期Vo l  26 No  2材 料 科 学 与 工 程 学 报Jo urnal o f Mater ials Science &Eng ineer ing 总第112期Apr.2008文章编号:1673 2812(2008)02 0177 04Ni 掺杂WO x 薄膜的电致变性能黄佳木,徐爱娇,穆尉鹏(重庆大学材料科学与工程学院,重庆 400045)摘...

富勒醇修饰氮掺杂二氧化钛复合材料及其光催化性能研究

2024-02-28 04:13:54

第41卷第8期2022年8月硅㊀酸㊀盐㊀通㊀报BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol.41㊀No.8August,2022富勒醇修饰氮掺杂二氧化钛复合材料及其光催化性能研究陈一凡,唐国钦,赵春霞,陈业凯(武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉㊀430070)摘要:本文采用四丁基氢氧化铵催化碱法制备富勒醇,并以富勒醇为原料,采用溶胶凝胶法制备富勒醇修饰氮...

KNN基无铅压电陶瓷的研究进展

2024-01-12 08:29:46

KNN基无铅压电陶瓷的研究进展吕会芹;武丽明;王淑婷;迟庆斌;刘泳;初瑞清;徐志军【摘 要】KNN基无铅压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为最重要的无铅压电材料之一.本文主要综述近期国内外有关铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备新技术,以及在掺杂改性方面的研究进展,并展望了其发展趋势.%KNN based lead-free piezoelectric ceramics have been...

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