什么是等离子体？还有什么情况下产生？等离子 (等离子态,电浆,英文:Plasma)是一种电离的气体, 由于存在电离出来的自由电子和带电离子, 等离子体具有很高的电导率,与电磁场存在极强的耦合作用.等离子体由克鲁克斯在 1879 年 发现,"Plasma"这个词,由朗廖尔在 1928 年最早采用等离子体 是存在最广泛的一种物态,目前观测到的宇宙物质中,99%都是等离 子体. 等离子态在宇宙中广泛存在...

反应等离子体沉积 rpd    等离子体沉积 (plasma deposition) 是一种重要的表面修饰技术。该技术可以利用等离子体反应生成薄膜或涂层，并用于实现无机、有机和复合材料的功能化。相较于传统化学气相沉积技术，等离子体沉积可以降低处理温度和压力，从而保持材料的原始化学性质。反应等离子体沉积 (reactive plasma deposition, RPD) 是等离子...

PECVD薄膜制备流程PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜制备技术，通过在气相状态下将化学气体物质在等离子体激发下分解并沉积在衬底表面上，从而形成一层薄膜。PECVD薄膜制备流程包括前处理、沉积和后处理三个主要步骤。下面将详细介绍PECVD薄膜制备的流程。1. 前处理（Pre-treatment）：在进行PECVD薄膜制备...

pecvd沉积边缘效应PECVD沉积边缘效应是在PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，增强型化学气相沉积）过程中产生的一种现象。PECVD是一种利用等离子体介质（plasma medium）在较低温度下进行气相沉积的技术。在PECVD过程中，等离子体的密度最高处于沉积物表面附近，然后逐渐减小向气相扩散。当气相中的前驱体（例如硅源气体）接近沉...

等离子体气相沉积法等离子体气相沉积法（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一种使用等离子体辅助的化学气相沉积法。该方法利用高能的等离子体活性物种来促进反应，并使气相中的前驱物分解和反应。这种方法通常用于制备薄膜材料，如硅薄膜、氮化硅薄膜等。在等离子体气相沉积法中，首先将气体前驱物引入反应室中，并在较低的压力下进行放电，产生等离子体。等离...

PECVD设备的主要用途1.2.1  利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于这种性质的存在，低温沉积Si3N4减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。 1.2.2  用于集成光电子器件介质SiYNX膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯...

PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术制备薄膜的方法。它通过在低压条件下，将气体引入到等离子体中，使气体分子发生离解和激发，从而产生活性物种，最后在基底表面形成所需的薄膜。depositionPECVD的工作原理可以分为以下几个步骤：1. 气体供给：将所需的气体通过供气系统输入到PE...