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硅片

集成电路工艺复习资料要点

2024-06-04 23:35:16

1. 特征尺寸( Critical Dimension,CD)的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸,是衡量工艺难度的标志,代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中,特征尺寸通常指MOS管的沟道长度,也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中,特征尺寸通常指接触孔的尺寸。2. 集成电路制造步骤:①Wafer preparation(硅片准备)②Wafer fabrication (硅片制造)③Wafer...

集成电路工艺原理(期末复习资料)

2024-06-04 23:25:23

第一章 概述1、集成电路:通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(如Si、GaAs)上,封装在一个内,执行特定电路或系统功能。2、特征尺寸:集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。它是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度,越小,芯片的集成度越高,速度越快,性能越好3、摩尔定律:芯片上所集成的晶体管的数目,每隔18个...

第十章 离子注入

2024-06-04 22:48:48

第十章  离子注入本征硅的晶体结构由硅的共价键形成。本征硅的导电性能很差,只有当硅中加入少量杂质,使其结构和电导率发生改变时,硅才成为一种有用的半导体。这个过程被称为掺杂。掺杂被广泛应用于硅片制造的全过程,杂质是ⅢA族和ⅤA族的一些元素,例如硼、磷、砷、锑等。在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。热扩散利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构,这种方法受到时间和...

美国GTSolar公司

2024-05-18 06:11:37

(一)系统炉DSS FurnaceHigh Quality Ingots, Lower Overall CostsDSS FurnacesIngot from DSS FurnaceGT-DSS450™ FurnaceAs the market leader in multi-crystalline growth technology we felt committed to expand our...

半导体硅片制造工艺流程

2024-05-17 12:14:28

半导体硅片制造工艺流程    英文回答:    Semiconductor wafer manufacturing process involves several steps to create integrated circuits (ICs) on silicon wafers. The process is highly complex and re...

半导体行业专业知识-wafer知识

2024-04-18 11:28:05

PIE1. 何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?% c% S* f1 [& \* ]2 Z# I4 V4 ~5 i 答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。2. 200mm,300mm Wafer 代表何意义?% C2 a5 R, m5 q(...

光刻法操作流程

2024-04-06 19:59:11

光刻法操作流程The process of photolithography is a crucial step in the production of semiconductors, as it allows for the precise patterning of circuitry on silicon wafers. 光刻法是半导体生产中的一个关键步骤,它可以在硅片上实现电路的精确图案...

amoled array工艺流程

2024-03-19 17:53:59

AMOLED Array工艺流程●AMOLED Array工艺流程主要包括以下几个步骤:1.清洗:在开始制作AMOLED显示屏之前,需要对硅片进行清洗,以去除表面的污垢和杂质。2.涂覆光刻胶:在硅片表面涂覆一层光刻胶,作为掩膜,用于保护不需要进行刻蚀的区域。3.曝光:通过紫外线曝光的方式,将光刻胶上的图案转移到硅片上。4.显影:使用化学试剂将曝光后的光刻胶去除,留下所需的图案。5.刻蚀:使用化学或...

太阳电池所需测试大全

2024-03-06 16:54:57

  测试部分1.1光电导测量仪名称:WCT光电导测量工具仪器包含部分:个人计算机、少子寿命测试台、电池组Qpaq-X的电源碘酒钝化  原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按RCA2(纯水H2O:H2O2:HCl=5:1:1,沸腾后保持6分钟,纯水冲洗10分钟)-RCA1(纯水H2O:H2O2:NH4OH=5:1:1,沸腾后保持6分钟,纯水冲洗6分钟)-RCA2(...

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