2020秋季电子技术基础第一次月考 半导体二极管基础知识测试题 （满分100分，时间：1.5小时）  一、填空题（每题2分，第19题1分，共37分） 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为      、      和        。 2、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是&n...

并联电抗器故障分析及改进措施并联电抗器多安装于户外，受施工环境、器械质量以及人为因素等因素影响，并联电抗器故障时常发生，因此严重影响着电力系统的安全。基于此本文分析了一起66kV并联电抗器异常放电情况，结合实际案例提出并联电抗器维修建议，给同类设备运维工作提供技术指导。标签：并联电抗器;放电;故障1 概述2018年02月14日00时40分32秒，某换流站66kV II母A、B段母线保护电压动作，6...

场板和场限环及其复合使⽤技术设计及优化场板和场限环终端技术的原理及优化设计摘要：本⽂分别介绍了场板和场限环以及它们复合使⽤的结终端保护技术的基础理论知识，针对它们各⾃具有的敏感参数，通过优化和实验仿真实现最优耐⾼压设计。关键词：结终端技术场板场限环⾼压功率器件1．引⾔现代功率器件是在⼀硅⽚上并联上万个相同的单元组成，各单元间表⾯电压⼤致相同，但最外端（终端）单元与衬底间的电压却相差很⼤。应采取⼀些...

齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过在线计算器PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。 齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使...

摘要摘要射频LDMOS器件作为功率集成电路中的核心器件，近年来已经成为国内外众多器件研究者的研究热点，由于横向高压功率器件中击穿电压与比导通电阻之间的严重矛盾关系一直限制着RF LDMOS在高压大电流环境下的应用，同时，随着民用移动通信技术和军用雷达技术这些年的飞速发展，人们对无线信号的传输和传输质量的要求也在变高。在移动通信和军用雷达中，射频功率放大器作为信号发射机中的关键组成部分，它直接决...

电⼒晶体管--GTR的基本特性⼀、GTR的基本特性（1）静态特性1.在共发射极接法时的典型输出特性分为截⽌区、放⼤区和饱和区三个区域。2.在电⼒电⼦电路中，GTR⼯作在开关状态，即⼯作在截⽌区或饱和区。3.在开关过程中，即在截⽌区和饱和区之间过渡时，⼀般要经过放⼤区。共发射极接法时GTR的输出特性（2）动态特性1.开通过程需要经过延迟时间td和上升时间tr，⼆者之和为开通时间ton。增⼤基极驱动电...

HV的结构与原理–DDDMOSorLDMOS？从基础的器件讲起吧，前面的器件部分都是讲的普通的LV器件，结构比较简单源(S)、栅(G)、漏(D)和衬底(B)四个端子，配合LDD和Spacer防止短沟道效应，差不多就可以讲完了。然而，这些普通的器件只能撑比较低的电压，比如1.8V/3.3V/5V(取决于你的technology-node)。而到了高电压驱动的时候，我们的结构必须要有所改变才能满足高压...