结深
具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法[发明专利]
专利名称：具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：陈伟钿，张永杰，周永昌，李浩南申请号：CN201910800848.5申请日：20190828公开号：CN112447820A公开日：20210305专利内容由知识产权出版社提供渐变构成图片黑白简单摘要：本发明公开具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法。芯片终端结构围绕器件区设置。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区...
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