径向速度
低能质子引起SRAM单元阵列的单粒子效应Geant4模拟
图1SRAM单元简化模型Fig.1Simplified model of SRAM2单粒子翻转截面计算模型引入一些特定的物理量来定量的描述粒子与靶核的相互作用过程。以微观截面为例，实验表明：在靶面积不变时,ΔI与粒子束强度I、靶厚度Δx和靶的核密度N存在以下关系[4-5],ΔI=-σINΔx(1)σ=-ΔI/INΔx(2)∑=Nσ(3)式中:ΔI为单位时间入射粒子中与靶核发生作用的中子数;σ为比例...
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