考慮
IC制造前段制程名词解释和作用
IC制造前段制程名词解释和作用IC制造前段制程名词解释和作用(二)11. SiN remove: 為求保險, 常在H3PO4前增加DHF; SiN remove後若仍有remaining SiN, 則有可能是reverse STI mask該開未開12. clean/sacrificial oxide: 早期LOCOS製程中以SAC oxide來解決Kooi effect並作為imp的screen...
IC制造前段制程名词解释和作用IC制造前段制程名词解释和作用(二)11. SiN remove: 為求保險, 常在H3PO4前增加DHF; SiN remove後若仍有remaining SiN, 則有可能是reverse STI mask該開未開12. clean/sacrificial oxide: 早期LOCOS製程中以SAC oxide來解決Kooi effect並作為imp的screen...