MOS 结构高频C-V 特性测试MOS 结构电容-电压特性（简称C-V 特性）测量是检测MOS 器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度ox d 、衬底掺杂浓度N 、氧化层中可动电荷面密度I Q 、和固定电荷面密度fc Q 等参数。本实验目的是通过测量MOS 结构高频C-V 特性及偏压温度处理（简称BT 处理），确定ox d 、N 、I Q 和fc Q 等参数。一、 实验原理MOS...

实验九  BTC-V 法测量SiO 2层中可动离子密度和固定电荷密度1．  实验目的学习用BTC-V 法测量MOS 结构SiO 2层中的固定电荷和可动离子电荷的密度。2．  实验内容测量样品原始高频C-V 特性曲线后，进行负BT 处理。测量C-V 曲线，然后进行正温偏处理并测出其C-V 曲线。用计算机计算可动离子电荷密度N m 和固定电荷密度N f 。3． ...

Fully Differential Folded-cascode OPAMP(一)电路架构：1.Design of the biasing circuit:一开始，可以先设计biasing circuit。偏压电路有许多架构，如果采用wide-swing和constant-g m的合并电路，就必须加入激活电路。激活电路的设计以不影响偏压电路的正常工作，和低消耗功率为原则。如Fig.1(b)所示，...