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漂移区

硅基射频ldmos器件结构设计与研究

器件射频阶梯电场击穿漂移区电压
2024-01-05 05:04:17

摘要摘要射频LDMOS器件作为功率集成电路中的核心器件，近年来已经成为国内外众多器件研究者的研究热点，由于横向高压功率器件中击穿电压与比导通电阻之间的严重矛盾关系一直限制着RF LDMOS在高压大电流环境下的应用，同时，随着民用移动通信技术和军用雷达技术这些年的飞速发展，人们对无线信号的传输和传输质量的要求也在变高。在移动通信和军用雷达中，射频功率放大器作为信号发射机中的关键组成部分，它直接决...

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