气体
中压充气柜产品市场应用现状及发展趋势
电工电气 (202 No. )作者简介:王广先(1985— ),男,工程师,硕士,主要从事C-GIS 的设计与研发工作。王广先,赵瑞影(正泰电气股份有限公司,上海 201614)摘 要:中压充气柜(C-GIS)是一种采用低压力SF 6或环保气体作为绝缘介质的金属封闭开关设备,随着传感技术和智能化设备的应用,其可以满足各种不同的用户和应用场合要求。阐...
1928年诺贝尔物理学奖——热电子发射定律
1928年诺贝尔物理学奖——热电子发射定律1928年诺贝尔物理学奖授予英国伦敦大学的O.W.里查森(SirOwen Willans Richardson,1879——1959),以表彰他对热电子发射现象的工作,特别是发现了以他的名字命名的定律。20世纪前半叶,物理学在工程技术方面最引人注目的应用之一是在无线电电子学方面。无线电电子学的基础是热电子发射。当时名为热离子学(thermionics)的学...
limit的过去式与现在分词
limit的过去式与现在分词过去式与现在分词是我们学习英语动词时必须掌握的一个知识,那limit的过去式与现在分词是什么呢?下面是 为你整理的limit的过去式与现在分词,希望大家喜欢!过去式: limited现在分词: limiting现在分词limiting造句1. The conditions laid down to me were not too limiting.给我规定的条件还不算...
银镜反应的化学方程式化学方程式及反应
银镜反应的化学方程式化学方程式及反应2MgO2+点燃===2M=gO现象燃烧:放、出大的量、热时同出耀眼放的白光SO+ 2燃=点===S2O 象现空气中:淡是的蓝火焰纯;中是蓝紫的氧火;焰时同生有刺成激气性的气体。味C+2O燃点===C=2O 现象:生能成够纯净让的灰水浑浊的石体气2+O2C点燃====2CO现象燃:烧象外,现他现其不象明显4+5P2点燃=O===22P5O 现 :...
二氧化碳提炼钻石的原理
二氧化碳提炼钻石的原理二氧化碳提炼钻石是一种人工合成钻石的方法,也被称为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)。CVD是一种利用气相反应在高温高压条件下合成材料的方法,该方法已经被广泛应用于合成钻石、金刚石薄膜、硼氮化物等材料的生产中。二氧化碳提炼钻石的过程主要分为两个步骤:净化和沉积。首先,净化步骤是对二氧化碳气体进行净化处理,以确保原料气体的纯度。二氧化碳...
真空镀膜技术英语
真空镀膜技术常识及英文术语2009-03-11 18:516.1一般术语6.1.1真空镀膜vacuum coating:在处于真空下的基片上制取膜层的一种方法。6.1.2基片substrate:膜层承受体。6.1.3试验基片testing substrate:在镀膜开始、镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和(或)试验的基片。6.1.4镀膜材料coating material:用来制取膜层的原材料。6....
PVDCVD工艺参数
PVDCVD工艺参数PVD(Physical Vapor Deposition)和CVD(Chemical Vapor Deposition)是两种常用的表面涂层工艺,用于为材料表面添加附着性、耐磨性、耐腐蚀性等功能薄膜。下面将详细介绍PVD和CVD的工艺参数,以及它们各自的特点和应用。depositionPVD工艺参数:1.作用气体:PVD过程通常使用惰性气体,如氩气,用于提供等离子体和清除反应...
反应等离子体沉积 rpd
反应等离子体沉积 rpd 等离子体沉积 (plasma deposition) 是一种重要的表面修饰技术。该技术可以利用等离子体反应生成薄膜或涂层,并用于实现无机、有机和复合材料的功能化。相较于传统化学气相沉积技术,等离子体沉积可以降低处理温度和压力,从而保持材料的原始化学性质。反应等离子体沉积 (reactive plasma deposition, RPD) 是等离子...
化学气相沉积法的操作步骤和原理
化学气相沉积法的操作步骤和原理化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种常用的材料制备方法,广泛应用于化学、电子、光学等领域。其操作步骤和原理紧密相连,下面将详细介绍。一、操作步骤1. 设备准备:首先需要准备CVD设备,包括反应室、加热系统、供气系统、真空系统等。对于不同的材料制备需求,设备参数可能会有所不同。2. 洁净材料:在操作之前,需要确保所使用的...
cvd化学气相沉积原理
CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)是一种常用的薄膜生长技术,用于在固体表面上沉积薄膜材料。CVD的基本原理如下:原料气体供应:在CVD过程中,需要提供适当的原料气体。这些气体可以是气态化合物或气体混合物,其中至少包含了所需的元素或化合物。携带气体:通常需要使用携带气体将原料气体输送到反应室。携带气体可以是惰性气体(如氮气或氩气),其作用是稀释原料气体并促进其...
pecvd沉积边缘效应
pecvd沉积边缘效应PECVD沉积边缘效应是在PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,增强型化学气相沉积)过程中产生的一种现象。PECVD是一种利用等离子体介质(plasma medium)在较低温度下进行气相沉积的技术。在PECVD过程中,等离子体的密度最高处于沉积物表面附近,然后逐渐减小向气相扩散。当气相中的前驱体(例如硅源气体)接近沉...
PECVD设备的主要用途设备的主要用途设备的主要用途设备的主要用途_百 ...
PECVD设备的主要用途1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。这样厚度的膜与光发生各种作用,具有光学功能性。即:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于这种性质的存在,低温沉积Si3N4减反射膜,以提高太阳能电池的光电转换效率。 1.2.2 用于集成光电子器件介质SiYNX膜的制备,如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯...
pvd工艺过程
pvd工艺过程Pvd 工艺流程涂层技术及工艺流程涂层技术及工艺流程涂层技术及工艺流程涂层技术及工艺流程1. 真空涂层技术的发展真空涂层技术起步时间不长,国际上在上世纪六十年代才出现将CVD(化学气相沉积)技术应用于硬质合金刀具上。由于该技术需在高温下进行(工艺温度高于1000OC),涂层种类单一,局限性很大,因此,其发展初期未免差强人意。到了上世纪七十年代末,开始出现PVD(物理气相沉积)技术,为...
半导体英语词汇大全
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统 4. Acid:酸 5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大) 6. Align mark(ke...
超临界流体沉积制备[Emim][BF_(4)]支撑型离子液体膜及其气体分离性能...
第21卷第2期2021年2月过程工程学报The Chinese Journal of Process EngineeringVol.21 No.2 F eb.2021DO I : 10.12034/j.issn. 1009-606X.220100Gas separation performance of [Emiml[BF 4卜supported ionic liquidmembranes pre...
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术制备薄膜的方法。它通过在低压条件下,将气体引入到等离子体中,使气体分子发生离解和激发,从而产生活性物种,最后在基底表面形成所需的薄膜。depositionPECVD的工作原理可以分为以下几个步骤:1. 气体供给:将所需的气体通过供气系统输入到PE...
cvd淀积法的特点
cvd淀积法的特点简介cvd (Chemical Vapor Deposition) 淀积法是一种化学气相沉积技术,用于在固体表面上制备薄膜或纳米材料。它是一种重要的材料制备技术,在半导体、光学薄膜和纳米材料等领域有广泛应用。cvd淀积法的特点包括可控性高、制备速度快、适用范围广等。工作原理cvd淀积法通过在固体表面上生成化学反应的气体产物,使得固体表面沉积一层薄膜。主要包括以下几个步骤:1.原料...
汽车行业术语英语翻译
汽车行业术语(下)nondispersive ultraviolet氢火焰离子化检测器flame ionization ditector总碳氢化合物分析仪total hydrocarbon analyzer气相谱仪gas chromatographscraper化学发光检测器chemiluminescent detector臭氧发生器ozonator底盘测功机chassis dynamomete...
between的用法简述
between的用法简述distribute名词形式许多同学在学习between的时候都对这个单词颇感疑惑,下面 把between的用法加以简单叙述:一、表示三个或三个以上人和物的共同作用时,用between.1.表示由于…共同作用的结果.Between making beds,washing dishes,sewing and raising her children,she was kept...
数控NC代码及解释
常用数控编程代码以及解释 1、编程主代码功能 G代码 功能通过编程并运行这些程序而使数控机床能够实 G00 定位(快速移动) G01 ...
常用数控编程代码以及解释
常用数控编程代码以及解释 1、编程主代码功能 G代码 功能通过编程并运行这些程序而使数控机床能够实G00 定位(快速移动)G01 直线插补(进...
TROM-600变压器油谱在线监测系统使用说明书5.0.1
word格式-可编辑-感谢下载支持目录与思源电气联系 (3)TROM-600HW变压器油谱在线监测系统使用说明书 (4)一、产品型号说明 (4)二、产品介绍 (4)三、技术指标 (6)3.1功能指标: (6)3.2检测指标: (6)3.3外形参数: (6)3.4环境要求: (7)3.5系统配置: (7)四、设备安装 (7)4.1安装前的准备工作 (7)4.2货物检查 (8)4.3发货清单(标准配...
工艺工程师岗位面试题及答案(经典版)
工艺工程师岗位面试题及答案1.能否解释蚀刻工艺在半导体制造中的作用以及它对整个生产流程的重要性?答:蚀刻工艺在半导体制造中是关键步骤之一,用于精确剥离或刻蚀芯片表面的材料。它影响了芯片的结构、性能和可靠性。例如,通过蚀刻,我们可以定义晶体管的特定形状和尺寸。这对于芯片的功能和性能至关重要,因此,蚀刻工艺必须高度控制和精确。multisim函数发生器怎么使用2.在蚀刻工艺中,您如何管理和控制蚀刻速率...