入射
离子注入和快速退火工艺处理
离子注入和快速退火工艺离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。 注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um ，离子剂量变动范围从 用于阈值电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。相对于扩散工艺， 离子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失...
高能质子在散裂靶中的能量沉积计算与实验验证
高能质子在散裂靶中的能量沉积计算与实验验证*周斌1) 于全芝2)† 胡志良1) 陈亮3) 张雪荧3) 梁天骄1)1) (散裂中子源科学中心, 东莞 523803)2) (中国科学院物理研究所, 北京 100190)3) (中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000)...
