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正电子

离子注入在半导体中产生的缺陷及其深度分布

缺陷正电子离子注入空位原子参数产生退火
2024-06-04 23:02:04

离子注入在半导体中产生的缺陷及其深度分布离子注入已经成为半导体生产工艺中不可缺少的手段。利用离子注入可以很方便地实现半导体掺杂，且与传统的掺杂工艺相比具有很多优点，如：①注入离子注入可以有效注入多种元素的离子，并且不受杂质固溶度的影响。②离子注入可以在指定位置和深度引入杂质。这在半导体器件制备过程中是必需的。③离子注入引入数量可以精确控制杂质，并具有很高的可重复性。这是常规掺杂方法不能满足的。④离...

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